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现代计算机系统的许多接口都采用了 DDR 技术,其中之一涉及到处理器与内存的工作方式,人工智能(AI)、机器学习(ML)和数据挖掘等新应用也在不断推动这种接口突破新的极限。针对高带宽同步动态随机存取存储器(SDRAM)的最新 DDR5 版本 DDR 接口的开发始于 2017 年,而备受期待的 JES

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在 3D-IC 设计中,热挑战可能会对性能达标带来重大影响。尽管近年来摩尔定律的步伐有所放缓,但借助系统技术协同优化(STCO)方法,有望利用新兴技术产品(包括 3D 技术)调整系统架构,从而缓解工艺发展瓶颈。 本白皮书分析了嵌入式微凸点(EμBump)和晶圆对晶圆混合键合(W2WHB)的材料特性对

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