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随着电子技术高速发展，芯片早已成为其中必不可少的核心组件，经过迭代优化，芯片种类繁多，其中之一是两字光源芯片。据媒体报道，来自电子科技大学的周强教授组成的研究团队近期取得重大科研突破，成功研制出全球首个氮化镓量子光源芯片。据周强教授表示，该
在氮化镓和碳化硅之后，氧化镓（Ga₂O₃）正以超高击穿电压与低成本潜力，推动超宽禁带功率器件进入大规模落地阶段。但在光伏逆变、电动车快充、高压电源模块等真实工作场景中，高频大电流动态开关才是氧化镓器件日常面临的真实挑战。如何评估器件在这些动态应力下的可靠性，成为影响产品量产落地与客户信赖度的关键。传
一、AHB不对称半桥反激拓扑优势不对称半桥反激（Asymmetrical Half-Bridge Flyback）结合了半桥和反激拓扑的优点，特别适合中等功率应用。相比传统反激拓扑，它具有：· 开关管电压应力低· 可实现软开关操作· 变压器利用率高· 适合高频化设计加入氮化镓器件后，进一步提高了开关
传统硅基器件在高温、高压、高频场景中逐渐力不从心，而碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）作为第三代半导体材料，正以“宽禁带”特性打破物理极限，成为新能源、5G等领域的核心器件。SiC与GaN是什么？SiC（碳化硅）：由碳和硅组成的化合物，禁带
2026年3月，全球功率半导体产业迎来历史性转折点。以碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）为代表的第三代半导体材料，在8英寸量产、大尺寸衬底技术及垂直应用领域实现全面突破，正在重塑从新能源汽车、光伏储能到AI算力的全产业格局。据行业预测，全球
做过射频功放设计的工程师应该都有这种感受：效率高的功放，线性度往往不理想；线性度好的功放，效率又上不去。这俩就像鱼和熊掌，似乎总也兼得不了。拿5G基站来说吧，现在主流的氮化镓（GaN）功放效率能到50%-60%，比传统的LDMOS高出一大截
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