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同步BUCK降压变化器是应用非常广泛的一种电源结构，其工作频率由早期的低于100KHz，提高到200KHz、300KHz、350KHz、500KHz、1MHz，甚至更高，工作频率的提高带来的好处是电源系统的体积降低，但是，缺点就是开关损耗会增加。功率MOSFET在进一步减小导通电阻、降低导通损耗的同
推挽电路实际上就是两个不同极性晶体管间连接的输出电路。推挽电路采用两个参数相同的功率BJT管或MOSFET管，以推挽方式存在于电路中，每个管子负责各自正负半周的波形放大任务，电路工作时，两只对称的功率开关管每次只有一个导通，所以导通损耗小效率高。推挽式电源由于结构简单，变压器磁芯利用率高，电路工作时
MOS功率开关
首先祝大家五一快乐，今天翻看私信，看到有个朋友留言IGBT，本来计划是想先讲一下双极型晶体管后才衍生讲MOS，那既然有朋友想要了解，那我今天就先把MOS和IGBT都简答讲一下。 我们知道在开关电源中，功率MOS是最常选用的功率开关器件，在大多是场合下，它的成本和导通损耗
IGBT开通过程分析
IGBT开通过程的分析IGBT作为具有开关速度快，导通损耗低的电压控制型开关器件被广泛应用于高压大容量变频器和直流输电等领域。现在IGBT的使用比较关注的是较低的导通压降以及低的开关损耗。作为开关器件，研究它的开通和关断过程当然是必不可少的，今天我们就来说说IGBT的开通过程。01前言一开始我们简单
1、D类放大器的热损耗分析D类放大器虽然效率高达85-95%，但剩余5-15%的能量仍会转化为热量，主要来自：MOSFET开关损耗（占60%以上）导通损耗：RDS(on) × I2开关损耗：(trise + tfall) × fsw × V
在开关电源、电机驱动等高频功率场景中，MOS管的发热问题直接关系系统效率与可靠性。本文摒弃“适度散热”“合理设计”等模糊表述，聚焦具体技术点，拆解发热根源与解决方案，直击核心差异。1、发热原因：四类具体损耗导通损耗：导通电阻（Rds(on)
同步整流技术凭借低导通损耗优势，在电源领域广泛应用。然而，轻载条件下效率骤降的问题，正成为制约其性能突破的关键瓶颈。本文从损耗机理出发，提出三大优化策略。一、轻载效率下降的物理根源反向电流损耗轻载时电感电流周期性归零，若同步整流管（SR M
栅压继续加高，MOS总损耗会更低吗？把MOSFET栅压从8V抬到10V，RDS(on)可能下降，整机效率却未必继续提高。核心判断是：更高VGS会改善导通，却也让驱动器每秒搬运更多栅极电荷。导通损耗、驱动损耗、开关速度和额定值必须一起核算，不
肖特基标着10A，实际只跑3A，为什么还是烫得厉害？“10A肖特基”不代表装到任何板子上都能轻松跑10A。3A时只要正向压降还有0.4～0.6V，导通损耗就已经是瓦级；再加上反向漏电、开关波形和PCB散热条件，结温很容易比手摸到的外壳温度高
MOS换成更低导通电阻的型号，电源效率为什么没明显提升？RDS(on)降低，只能直接减少导通损耗。开关电源里还要看栅极电荷、输出电容、反向恢复、开关频率和驱动能力；如果开关损耗占比更高，换一颗低阻MOS，整机效率未必有明显变化。做电源优化时
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