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在高频开关电路中，MOSFET的寄生电容直接影响开关速度与功耗。本文提炼电容计算的关键公式与影响因素，为硬件工程师提供精准设计指南。一、基础电容定义输入电容（Ciss）公式：Ciss = Cgs + Cgd作用：决定栅极驱动电流需求，Cis
孔（via）是PCB多层板的重要组成部分之一，可分为通孔、盲孔、埋孔等，但也可以理解为，PCB上的每一个孔都可以称之为过孔。今天本文将分享via孔的选择指南。1、按信号类型选孔型高速信号：必须用微孔（直径≤0.15mm）或盲孔，减少寄生电容
DCDC转换器因高效率被广泛应用，但开关节点（SW）的振铃现象易引发电磁干扰（EMI）和元件过热。本文从寄生参数、PCB布局及电路设计角度，简述吸收振铃的实用方法。1、振铃的产生原因开关节点振铃本质是寄生电感（L）与寄生电容（C）构成的LC
MOSFET作为电力电子领域的核心器件，其寄生电容对开关性能有决定性影响。本文聚焦输入电容、输出电容和反向传输电容的计算方法，为工程师提供实用参考。1、基础电容定义MOSFET的三个核心电容由栅极(G)、漏极(D)、源极(S)两两组合定义：
在高速PCB设计中，过孔的寄生电容直接影响信号完整性。通孔、背钻与盲埋孔因结构差异，寄生特性各不相同，需针对性优化。1、通孔的寄生电容通孔的寄生电容主要来自焊盘与地层的平板电容效应，计算公式为：C ≈ 1.41εTD1/(D2-D1)其中，
射频开关的隔离度是衡量信号泄漏的关键指标，尤其在高频段，隔离度随频率升高快速衰减的问题，已成为制约系统性能的瓶颈。本文聚焦频段高端隔离度下降的成因与补偿策略。1、隔离度衰减的物理根源高频信号的波长缩短，导致寄生电容、电感等效应加剧。例如，P
在高速PCB设计中，过孔看似打通了信号传输路径，但高速信号却常因过孔问题无法稳定传输。这背后隐藏着哪些技术细节？1、过孔的“隐形杀手”：寄生效应过孔并非简单的连接通道，其结构（焊盘、钻孔、铜柱、反焊盘）会引入寄生电容和电感。在低速信号中，这
仿真曲线漂亮，上板一测全变样。问题不在设计思路，在于你把真实世界想简单了。1、仿真为什么会骗你？理想模型里，电容就是电容，电感就是电感。但真实的电容有ESR和ESL，真实的电感有寄生电容。这些寄生参数在低频时可以忽略，一旦频率上去，它们才是
公式没算错，元件值没选错，但实测截止频率和理论差了几十倍。问题大概率出在你没算进去的寄生电容上。1、寄生电容从哪来？PCB走线本身就是电容。两根平行走线，间距1mm、长度10mm，寄生电容约0.2pF。看着不起眼，但如果你设计的是100kH
多路复用器一切换，输出端就冒出ns级电压尖峰，幅值可达50至200mV。罪魁祸首就是电荷注入。不搞定它，16位ADC读出来可能只剩12位。1、毛刺从哪来？模拟开关由并联的NMOS和PMOS构成。控制信号跳变时，栅极-漏极寄生电容CGD将电荷
