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你知道吗，其实电磁辐射强度是与距离的平方成反比，这种规律也就是反比平方定律，虽然你可能没听说过它，但今天我们来聊聊这个定律，通过学习，你会对电磁兼容性有一定的了解。反比平方定律指出：当辐射从一个点源均匀地向所有方向发射时，其强度与距离的平方
概述：Virtex UltraScale+ 器件是基于 14nm/16nm FinFET 节点的高性能 FPGA，支持 3D IC 技术和多种计算密集型应用。AMD 第三代 3D IC 使用堆叠硅片互联 (SSI) 技术打破了摩尔定律的限制
随着时代发展，半导体逐渐逼近摩尔定律的物理极限，芯片厂商长久以来一直在寻求低功耗高性能的解决方案，于是生物处理器出现了，为该挑战提供了可能的答案，所以很多企业及研究组织都在大力发展生物计算。据媒体报道，瑞士初创公司FinalSpark近期发
简介过去六十年里，摩尔定律面临过多次挑战，但半导体工程师总能找到突破，让芯片上的晶体管密度继续翻倍。然而，这背后的成本却在飙升。历来，缩小晶体管尺寸有助于提高芯片的运行速度。目前，制造商已能在硅芯片上形成仅有几个原子厚的微结构。但鉴于物理的极限，这些微结构无法无限缩小，虽然降温或降低电压等方法也能提
在电子设计中，DCDC转换器常用于将输入电压降至所需的输出电压，在使用时，工程师可能会考虑在DCDC降压前使用分压电阻来降低输入电压，以此减少压差，这种做法是可行的吗？1、分压电阻的基本原理分压电阻通过串联在电路中的方式，利用欧姆定律（V=
1：摩尔定律1965年，硅谷传奇，仙童“八叛徒”之一，英特尔原首席执行官和荣誉主席，伟大的规律发现者戈登·摩尔正在准备一个关于计算机存储器发展趋势的报告。在他开始绘制数据时，发现了一个惊人的趋势。每个新的芯片大体上包含其前任两倍的容量，每个芯片产生的时间都是在前一个芯片产生后的18~24个月内，如果
简介后摩尔时代，半导体产业面临着制程技术逼近物理极限的挑战。为实现“超越摩尔定律”的目标，2.5D/3D 封装技术加速发展。本文将探讨一种由交通大学陈智教授意外发现的革命性材料——纳米双晶铜，其在3D芯片封装中的应用及观察方法。什么是纳米双晶铜？纳米双晶铜是指铜的微观结构呈现（111）单一方向柱状晶
随着电子技术高速发展，芯片内置的晶体管数量翻倍增长，目前已经达到数百亿级别，但受限于“波尔兹曼暴政”物理定律的限制，性能提升越来越困难，，无法在过低的电压条件下正常工作，因此，晶体管必须需要改变！据媒体报道，美国麻省理工学院团队利用超薄半导
电流、电阻和电压之间的关系可以通过欧姆定律来描述，欧姆定律表明电流、电压和电阻之间存在线性关系。欧姆定律的数学表达式如下：电流（I） = 电压（V） / 电阻（R）其中：电流（I）：单位安培（A），表示电荷（电子）通过导体的速度，是电流的物
埋入式互连装置将帮助拯救摩尔定律。一段时间以来，每种新处理器产生的废热都比原先的要多。如果芯片还是按2000年代早期的轨迹发展，它们的热功率很快将达到每平方厘米6400瓦，相当于太阳表面的功率通量。但事情没有变得那么糟糕，工程师们在努力控制芯片功耗。在性能方面，数据中心的片上系统（SoC）设计一直仅
