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某行车记录仪，测试的时候要加一个外接适配器，在机器上电运行测试时发现超标，具体频点是84MHz、144MHz、168MHz，需要分析其辐射超标产生的原因，并给出相应的对策。辐射测试数据如下：
SIM卡是（Subscriber Identification Module 客户识别模块）的缩写，也称为用户身份识别卡、智能卡，GSM数字移动电话机必须装上此卡方能使用。在电脑芯片上存储了数字移动电话客户的信息，加密的密钥以及用户的电话簿等内容，可供GSM网络客户身份进行鉴别，并对客户通话时的语音信息进行加密。在一些特殊的平板上我们会用到此模块。
往往说晶振是数字电路设计的关键，便是由于全部的数字电路设计都需要一个好的工作时钟信号，最普遍的便是用晶振来处理，可以说要是有数字电路设计的地方就可以看到晶振。 大家常说的晶振，包括两种，一种需要加驱动电路才可以产生频率信号，这类晶振叫晶振谐振器，例如普遍的49S封装、两脚封装的SMD32255032、小量四脚SMD封装。一种无需加驱动电路，只需要再加工作电压信号，就可以产生频率信号，这类称为晶振振荡器，大部分全是4脚封装，带有开关电源脚位、地脚位、频率輸出脚位等。
现在越来越多的高速设计是采用一种有利于加快开发周期的更有效的方法。先是建立一套满足设计性能指标的物理设计规择，通过这些规则来限制PCB布局布线。在器件安装之前，先进行仿真设计。在这种虚拟测试中，设计者可以对比设计指标来评估性能。而这些关键的前提因素是要建立一套针对性能指标的物理设计规则，而规则的基础又是建立在基于模型的仿真分析和准确预测电气特性之上的，所以不同阶段的仿真分析显得非常重要。
所谓的Xnet，是指在无源器件的两端，两个不同的网络，但是本质上其实是同一个网络的这种情况。比如一个源端串联电阻或者串容两端的网络。在实际设计情况中，我们需要对这种进行Xnet的设置，方便进行时序等长的设计，一般信号传输要求都是信号的传输总长度达到要求，而不是分段信号等长，这时采用Xnet就可以非常方便的实现这一功能，在Allegro软件中添加xnet的具体步骤如下所示：第一步，执行菜单命令Analyze-Model Assigment，进行模型的指定，如图5-112所示； 图5-11
滤波电容：在电源整流电路中，用来滤除交流成分，使其输出的直流更加的平滑。 去耦电容：在放大电路中不需要交流的地方，用来消除自激，使放大器稳定工作。 旁路电流：在电阻连接时，接在电阻两端使交流信号顺利的通过。（1）关于去耦电容蓄能作用去耦电容主要是去除高频如RF信号的干扰，干扰的进入方式是通过电磁辐射。而实际上，芯片附近的电容还有蓄能的作用，这是第二位的。如果微观来看，高频器件在工作的时候，其电流是不连续的，而且频率很高，而器件V
一、输入失调电压(Offset Voltage，VOS) （一）定义：在运放开环使用时， 加载在两个输入端之间的直流电压使得放大器直流输出电压为 0。 （二）优劣范围：1µV 以下，属于极优秀的。100µV 以下的属于较好的。最大的有几十mV。 （三）对策： 1）选择 VOS远小于被测直流量的放大器， 2）过运放的调零措施消除这个影响 3）如果你仅关心被测信号中的交变成分，你可以在输入端和输出端增加交流耦合电路，将其消除。 4）如果 IB1=IB2，那么选择 R1=R2//RF，可
1.Altium Designer将需要做等长的线组成一个类：在Design-Classes中，右键Net Classes弹出菜单中，选择Add Class，为新New Class命名（Rename Class），加入需要的Net。
器件寿终正寝的原因
器件的"寿终正寝"是一种源于物理或化学变化的累积性衰退效应。大家都知道，电解电容和某些类型的薄膜电容"终有一死"，原因是在微量杂质（氧气等）和电压力的共同作用下，其电介质会发生化学反应。集成电路结构遵循摩尔定律，变得越来越小，正常工作温度下的掺杂物迁移导致器件在数十年（而非原来的数百年）内失效的风险在提高。另外，磁致伸缩引发的疲劳会使电感发生机械疲劳，这是一种广为人知的效应。某些类型的电阻材料会在空气中缓慢氧化，当空气变得更为潮湿时，氧化速度会加快。同样，没有人会期望电池永远有效。
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