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电阻加大了,波形还是乱跳。问题不在电阻,而在你看不见的地方。1、振荡的本质驱动走线的寄生电感L,与MOS管栅极寄生电容C,构成LC谐振回路。公式很直白:当驱动电阻 R < 2√(L/C) 时,电路处于欠阻尼状态,振荡必然发生。你调电阻没用,
上个月有个学员找我诉苦,说他按教科书公式仔仔细细算好了RCD吸收回路的参数,样机一上电MOS管直接炸了。炸了之后他检查了好几遍:电阻功率够、电容耐压够、二极管也是快恢复的——参数全对,为什么还炸?说实话,这块把我坑过,也坑过我带的很多新人。
很多工程师在PI仿真时面对一个灵魂拷问——电容加到多少个才算够?答案不是拍脑袋,而是让仿真告诉你。1、纹波从哪来?芯片输出级的MOS管在切换瞬间,上下管会短暂同时导通,产生30到100mA的尖峰电流。这股电流撞上电源线的寄生电感,电压就被拉
面对一堆分立元件如何布局
想请教一下,电路中是一些分立元件,有三极管,MOS管,电容, 电阻,稳压二极管。是应该按照信号的流向摆放元件?还是把同类型的元件先摆放在一起(比如有3个MOS管,先把他们摆放在一起?),然后再拉线么?。因为发现如果按照信号的流向摆放元件,然后感觉元件的摆放就杂乱无章。 但是如果把同类型的元件摆放在一
D在RCD吸收的时候,对于二极管的选取,其耐压值为什么要按照vcc供电电压去选取,而不是MOS管关断瞬间产生的那个高压?
12V 经mos到充电芯片给电池充电,电池充电温度较高? 描述: 图示12V 经mos到充电芯片给电池充电 问题: 电池充电温度较高 解决方案: 控制MOS管工作在可变电阻区,从而分压,这样充电芯片入口的电压变低,使得充电电流变小 疑问: 可行性如何?

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