脊型GaAs基LD激光芯片工艺过程：这个流程算是LD最基础的流程，第一步做Mesa台阶，第二步做SiO2阻挡层，第三步做P电极、第四步做减薄、抛光；第五步做N电极。然后就是切片、测试、封装。但是里面也有几个关键的工艺参数需要控制的。同样Etch GaAs也可以用ICP干法刻蚀的工艺，比湿法工艺效果要

随着微电子技术的发展，FPGA逐渐替代PDL等可编程逻辑器件应用在各个领域，但CPLD因其独特的特点性质，仍然比FPGA更适合应用在部分领域，但由于很多小白没装没接触过CPLD芯片，也不清楚其结构，所以本文将探讨CPLD芯片的内部结构。CP

WPE在LD芯片中指电光转换效率。 WPE=出光功率/工作电流/工作电压。因此WPE越大越好，说明电转成光的效率越高。额外的部分电能，大部分以热能的形式释放。WPE高的话，转换的热也会变少。 An AlGaInP/GaAs red LD suffers from low wall pl

随着数字电路应用领域越来越多，可编程逻辑器件（Programma Logic Device，PLD）在其带动下也成为大火的电子器件之一，这也促使了PLD芯片制造工艺的日益完善，所以我们接下来将盘点可编程逻辑器件PLD芯片制造工艺。可编程逻辑

HOT CHIPS大会上的演讲将设计分割成处理器本身和设计的I/O部分。处理器可以采用最先进、最昂贵的节点制造，而I/O则可以采用不够先进、较便宜的节点制造（通常落后一代）。下方图片是Intel的LakefieLD芯片，它有一个I/O基片（采用非前沿的14纳米制程），10纳米制程的处理器，以及封装在顶部的动态随机存取存储器（DRAM）。这些都采用Intel的Foveros 3D技术组装。