很多读者要求介绍一下IGBT内容，这期就论述IGBT基础：结构及特点，下一篇回到MOSFET，介绍完MOSFET相关内容后，再进一步介绍IGBT的数据表。我们的工程师经常会问到： 穿透型、非穿透型IGBT，这里的"穿透"、"非穿透"是什么含义？IGBT具有不同的内部结构，如穿透型、非穿透型和现在广泛

IGBT，全称为绝缘栅双极型晶体管（Insulated Gate Bipolar Transistor），是一种由双极型三极管（BJT）和绝缘栅型场效应管（MOS）组成的复合全控型电压驱动式电力电子器件。它具有强电流、高压应用和快速终端设备

1、描述：汽车IGBT分立器件AIKQ200N75CP2是一款EDT2 IGBT，带有一个共同封装的二极管，采用TO247PLUS封装。750V EDT技术通过支持高达470V的电池电压和因过压裕量增加而实现的安全快速开关，显著提高了高电压

HL型栅极驱动器（High Level Gate Driver）是一种用于驱动功率半导体器件（如MOSFET和IGBT）的电路。它的主要功能是在输入信号的高低电平之间提供适当的电压和电流，以控制功率半导体器件的导通和截止。HL型栅极驱动器通

概述EiceDRIVER™增强型X3模拟系列通过外部电阻器（ADJA和ADJB引脚）实现DESAT（可调滤波器时间）和软关闭（可调电流）的配置能力。英飞凌1ED34xx单通道隔离式驱动器具有高达9A输出电流和最大40V输出电源电压，采用节省

1、ADUM220N0BRWZ 可靠的 5.0 kV rms 双通道数字隔离器、0 个反向通道和 7.8mm 爬电距离ADuM220N 是一款采用iCoupler®技术的双通道数字隔离器。该隔离器件将高速、互补金属氧化物半导体(CMOS)与

IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）是一种常见的功率半导体器件，具有高电压、高电流和高速开关等特点。在现代电力电子应用中，IGBT单管和IGBT模块是两种常见的形式。虽然它们都具有类似的结构和工作原

NXH600B100H4Q2是一款三通道对称升压模块。每个通道包含两个1000V 200A IGBT和两个1200V 60A碳化硅二极管和一个负温度系数热敏电阻（NTC）。特点• 模块带有低热阻抗基板• 可选焊接引脚或press-fit引脚

一、简介RGW 650V场终止沟槽型IGBT采用小型封装，具有低集电极-发射极饱和电压。RGW IGBT具有高速开关、低开关损耗和内置极快软恢复FRD。ROHM RGW 650V场终止沟槽型IGBT非常适合用于太阳能逆变器、UPS、焊接、I