采用小型封装、RGWX5TS65DGC11、RGWX5TS65GC11 650V场终止沟槽型IGBT

一、简介

RGW 650V场终止沟槽型IGBT采用小型封装，具有低集电极-发射极饱和电压。RGW IGBT具有高速开关、低开关损耗和内置极快软恢复FRD。ROHM RGW 650V场终止沟槽型IGBT非常适合用于太阳能逆变器、UPS、焊接、IH和PFC应用。

二、特性

低集极-射极饱和电压

高速转换

低开关损耗和软开关

内置超快速软恢复FRD

引脚无铅电镀

符合RoHS指令

三、规格

1、RGWX5TS65DGC11 IGBT TRENCH FLD 650V 132A TO247N

IGBT 类型：沟槽型场截止

电压 - 集射极击穿（最大值）：650 V

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：132 A

电流 - 集电极脉冲 (Icm)：300 A

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：1.9V @ 15V，75A

功率 - 最大值：348 W

开关能量：2.39mJ（开），1.68mJ（关）

输入类型：标准

栅极电荷：213 nC

25°C 时 Td（开/关）值：64ns/229ns

测试条件：400V，75A，10 欧姆，15V

反向恢复时间 (trr)：101 ns

工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-247-3

2、RGWX5TS65GC11 650V 沟槽型场截止IGBT TO-247N

IGBT 类型：沟槽型场截止

电压 - 集射极击穿（最大值）：650 V

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：132 A

电流 - 集电极脉冲 (Icm)：300 A

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：1.9V @ 15V，75A

功率 - 最大值：348 W

开关能量：-

输入类型：标准

栅极电荷：213 nC

25°C 时 Td（开/关）值：64ns/229ns

测试条件：400V，75A，10 欧姆，15V

工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-247-3

供应商器件封装：TO-247N

基本产品编号：RGWX5TS65

四。引脚封装

五、典型应用

太阳能逆变器

UPS

焊接

IH

功率因数校正

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