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IGBT，全称为绝缘栅双极型晶体管（Insulated Gate Bipolar Transistor），是一种由双极型三极管（BJT）和绝缘栅型场效应管（MOS）组成的复合全控型电压驱动式电力电子器件。它具有强电流、高压应用和快速终端设备用垂直功率MOSFET的自然进化特征。由于实现一个较高的击穿电压BVDSS需要一个源漏通道，而这个通道却具有很高的电阻率，因而造成功率MOSFET具有RDS(on)数值高的特征，IGBT消除了现有功率MOSFET的这些主要缺点。
IGBT有多重要？由于它的特性，IGBT在交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域有广泛应用，被业界誉为电力电子装置的“CPU”，因此是国家重点发展的半导体细分产业之一。
近年来，为了推动功率半导体行业，尤其是IGBT产业健康蓬勃发展，国家相关部门不仅制定了多项政策措施，还不断加大扶持力度。
IGBT曾被列为02年转向重点扶持项目，也是国家十四五规划中关键半导体器件的发展重点之一，因此在市场需求的持续增长，和国家的资金大量投入，企业及技术人才涌现，进一步推动IGBT的国产化进程，离摆脱IGBT产品的进口依赖目标更加进一步。
那么为了保证国内的IGBT市场蓬勃发展，早日形成国产IGBT市场，中国做出了哪些努力？或者说我国的相关政策有哪些？
1、《关于扩大战略性新型产业投资培育壮大新增长点增长极的指导意见》
2020年9月，国家发改委等四部门联合印发《关于扩大战略性新型产业投资培育壮大新增长点增长极的指导意见》：
明确提出要“聚焦新能源装备制造卡脖子问题，:加快IGBT等核心技术部件研发”。
2、《关于促进集成电路产业和软件产业高质量发展企业所得税政策的公告》
2020年12月，财政部、税务总局、发改委、工信部联合印发关于促进集成电路产业和软件产业高质量发展企业所得税政策的公告》：
国家鼓励的集成电路企业和软件企业的企业所得税减免政策,最高可免10年所得税。如此密集的支持政策的发布,可见国内对解决关键技术“卡脖子”问题的决心,其中车规级绝缘栅双极型晶体管（iGBT）就是一处重要的突破口。
3、《基础电子元器件产业发展行动计划（2021-2023年）》
2021年1月，工信部出台《基础电子元器件产业发展行动计划（2021-2023年）》:
重点发展微型化、片式化阻容感元件,高频率、高精度频率元器件，耐高温、耐高压、低损耗、高可靠半导体夺立器件及模块，小型化、高可靠、高灵敏度电子防护器件，高性能、多功能、高密度混合集成电路。面向我国蓬勃发展的高铁列军、民用航空航天、海洋工程装备、高技术船舶、能源装备等高端装备制造领域,推动海底光电缆、水下连接器、功率器件、高压直流继电器等高可靠电子元器件的应用。
4、《国民经济和社会发展第十四个五年规划和2035年远景目标纲要》
2021年3月，全国人大发布了《国民经济和社会发展第十四个五年规划和2035年远景目标纲要》：
制定实施战略性科学计划和科学工程,瞄准前沿领域。其中，在集成电路领域，关注集成电路设计工具、重点装备和高纯靶材等关键材料研发、集成电路先进工艺和绝缘栅双极型晶体管(IGBT）、微机电系统（MEMS）等特色工艺突破，先进存储技术升级，碳化硅、氮化家等宽禁带半导体发展。
5、《关于加快培育发展制造业优质企业的指导意见》
2021年7月，工信部等六部门联合印发《关于加快培育发展制造业优质企业的指导意见》：
开展协同创新,加六基础零部件、基础电子元器件、基础软件、基础材料、基础工艺、高端仪器设备、集成电路、网络安全等领域关键核心技术、产品、装备攻关和示范应用
6、《工业能效提升行动计划》
2022年6月，工信部等六部门联合印发《工业能效提升行动计划》：
加大节能新技术储备力度。加强绝缘栅双极型晶体管(IGBT)、特种非晶电机和非晶电抗器等电机核心元器件研发。
那么对于后续，受益于新能源汽车、工业控制、AI大模型等领域的需求大幅增长，IGBT已成为目前发展最快的功率半导体器件之一，按其工艺难度来看，IGBT属于高端半导体领域，行业入门课高，我国虽然在IGBT产业起步较晚，但在政策的鼓励下，发展迅速，技术水平屡屡获得重大突破，已有产品及供应链可以大批量满足下游应用客户的需求，提高IGBT器件国产替代率指日可待。
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