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产品简介CoolGAN™ 600 V e-mode GAN HEMT是效率最高， 功率密度最高， 质量最佳的增强型功率晶体管。增强模式概念提供了快速的开启和关闭速度， 以及在芯片或封装级别上更好的集成路径。 CoolGAN™可实现更简单的半
随着半导体技术的飞速发展，新型半导体材料不断涌现，其中SiC（碳化硅）和GAN（氮化镓）作为其中的佼佼者，正逐步改变着我们的技术世界。本文旨在探讨这两种材料的特性以及它们之间的主要区别。1、SiC和GAN是什么？碳化硅（SiC）：碳化硅是一
第三代半导体材料是指以氮化镓（GAN）和碳化硅（SiC）等为代表的宽禁带半导体材料。具体是指Eg(带隙宽度)≥2.3eV的宽禁带半导体材料，主要包括碳化硅(SiC)和氮化镓(GAN)。与前两代半导体材料相比，第三代半导体材料具有更宽的禁带宽
随着电子科技的不断进步，无论是在消费电子、工业自动化或是汽车、医疗、航空航天等各个领域，都在追求更高的功率密度，以满足逐渐提升的电源需求。电源的发展必然是朝着小体积高效率方面演进，提高工作频率是必然趋式。半导体开关器件是开关电源的核心器件，它是实现电源功率转换的必要器件，20多年来，功率金属氧化物半
引言生成对抗网络(GANs)通过从有限数据集生成高度真实的合成数据，推动了人工智能的发展。虽然这些网络在图像合成和医学成像等领域表现出色，但在传统电子硬件上实现时面临显著的计算挑战。本文探讨PhotoGAN，这是专门为GAN模型设计的硅基光电子加速器，在性能和能效方面都有显著提升[1]。图1：GAN
氮化镓（GAN）功率器件正逐渐成为LiDAR传感器的核心模块之一，这得益于其具有超快的开关速度和较低的寄生效应。这些特性使得氮化镓功率器件能够在高总线电压和窄脉冲宽度的情况下实现高峰值电流。为了迎接自动驾驶汽车的未来，汽车系统中必须采用更先进的传感器。在用于检测自动驾驶汽车周围物体的众多传感器中，激
Pete Hulbert, 行业顾问YueGANg Zhao, Keithley 资深应用工程师概述对于研究半导体电荷捕获和退化行为来说，交流或脉冲应力对典型的应力测试是一个有用的补充。NBTI（负偏置温度不稳定性）和TDDB（随时间变化的介电击穿）试验包括应力/测量循环。所施加的应力电压通常是一
一、Laser Die 及其制备激光器芯片根据材料体系有GAN基蓝光系列、砷化镓、磷化铟等组合起来的三元或者四元体系。每一种体系由于其最优的外延基板不同，P、N面打金线方向不同，有正负极同向、有反向。激光芯片根据使用范围主要有大功率应用的可见光、通讯用的红外光，还有医疗美容用的800~980n
引言当今电源设计人员面临着越来越大的压力，需要实现90%、甚至更高的功率转换效率。推动这种发展趋势的因素，包括延长便携式电子器件中的电池续航时间、物联网以及对功耗更低的“更加绿色的”产品的需求。许多设计正在使用GAN或SiC开关器件代替硅FETs和IGBTs。一如既往，产品上市时间压力正不断推动着测
大家好，我是王工。今天和大家分享一下Innoscience的GAN Layout设计指导手册中的关键要点。虽然手册主要针对GAN器件，但其中的设计思路和优化方法同样适用于我们常见的开关电源设计。在实际工程应用中，良好的PCB布局设计对系统性能至关重要。为了充分发挥功率器件的开关特性，同时避免各种干扰
