找到 “DRAM” 相关内容 条
  • 全部
  • 默认排序

走线未连接到过孔中心2.器件干涉3.时钟信号等长不符合规范4.滤波电容尽量靠近管脚摆放,尽量一个管脚一个5.直接在电源层铺一个整版电源即可以上评审报告来源于凡亿教育90天高速PCB特训班作业评审如需了解PCB特训班课程可以访问链接或扫码联系

90天全能特训班17期 AD-花生果汁 -1SDRAM-作业评审

跨接电容旁边进行多打地过孔,不同的地间距建议2mm2.器件干涉3.SDRAM等长还存在没有达到目标值4.走线尽量不要从电阻电容中间穿5.滤波电容应该靠近输入管脚放置以上评审报告来源于凡亿教育90天高速PCB特训班作业评审如需了解PCB特训班

90天全能特训班15期 AD-lzhong-达芬奇-作业评审

低八位等长超出范围高八位也超出范围地址线也不等长这里走线不满足3w布线未完成以上评审报告来源于凡亿教育90天高速PCB特训班作业评审如需了解PCB特训班课程可以访问链接或扫码联系助教:https://item.taobao.com/item

628 0 0
全能17期K-AD第6次作业-sdram_1作业作业评审

电源输出的滤波电容要靠近输出管脚放置2.USB的电容放置不到位,应该线经过电容在连接到USB器件,差分出线要耦合出线,走在一起3.器件干涉4.SDRAM的滤波电容尽量保证一个管脚一个5.顶底层器件干涉,顶层器件是插件,你底层也放器件,后期不

立创EDA梁山派-uae作业评审报告

自从美国商务部发布了主要针对DRAM芯片和NAND闪存芯片的中国技术出口限制,该限制内容为芯片制造商在采购生产设备时,若涉及到美国供应商,将受到严格审查,涉及范围有18nm或以下的DRAM芯片、128层或以上的NAND闪存芯片、14纳米或以

国产存储芯片如何在重压之下突围?

计算机系统的存储部分是很神奇的存在,因其电子系统的性质及功能用途可采用不同的存储器,很多人或许会听说过RAM、ROM、SRAM、DRAM等,但也有很多人分不清它们的区别,所以本文将一一回答这些存储器。ROM: Read-only memor

ROM、RAM、SRAM、DRAM等的区别及联系

随着时代发展,数据处理量日益增长,越来越多的电子工程师急需好用的存储器来提供存储空间,这也促使存储器逐渐成为电子设备必备的核心部分,今天我们来盘点那些常见的存储器。1、SRAM即静态随机存储器,存取速度快,但容量小,一旦掉电后数据将丢失,不

​SRAM、FALSH、DRAM、SSRAM等的区别

韩国是全球最主要的存储芯片生产地,特别是内存,三星及SK海力士两家公司就占了全球七成%以上的份额,这也是韩国出口最赚钱的芯片,然而8月份出口创下了2019年以来的最惨跌幅。据报道,韩国通商部周五发布的数据显示,8月份你内存 (DRAM动态随

芯片行业不景气,韩国内存芯片出口量暴跌

数字经济时代,芯片扮演着重要角色。得益于人才聚集、产业升级、政策扶持等,我国的半导体产业正在蓬勃发展,并不断拉近与先进地区、企业的差距。日前,韩国研究机构OERI在报告中称,估计韩企和中国厂商在DRAM芯片的技术差距已缩短至5年。具体来说,

国产DRAM芯片与三星SK海力士的差距已缩短至5年

近日,知名市场调查机构Yole Dédevelopement发布《内存行业年度状况报告》,报告中分析了2022年DRAM和NAND闪存芯片市场的发展趋势及预测,今天将为小伙伴们划出重点。报告中指出,2022年,DRAM市场将增长为25%,市

2022年DRAM/NAND闪存芯片市场将创历史新高