ROM、RAM、SRAM、DRAM等的区别及联系

计算机系统的存储部分是很神奇的存在，因其电子系统的性质及功能用途可采用不同的存储器，很多人或许会听说过RAM、ROM、SRAM、DRAM等，但也有很多人分不清它们的区别，所以本文将一一回答这些存储器。

ROM： Read-only memory,只 读存储器；电路结构简单，断电以后不会丢失数据；只适用于存储那些固定数据的场合： ROM包括掩膜ROM、可编程ROM (PROM)、可擦除的可编程ROM (EPROM)、可电擦除的可编程ROM (EEPROM)；掩膜ROM的数据在制作时已经确认，不能更改； PROM的数据可以由用户根据需要写入，但是一旦写入以后便不能修改； EPROM可以根据需要由用户写入数据而且还能擦除重写(用紫外线擦除)，具有更大的灵活性； EPROM采用浮栅结构；而EEPROM可以,用电擦除，EEPROM有控制栅和浮栅两个栅极；

Flash Memory： EEPROM 为保证擦除和写入的可靠性，存储单元采用双管结构；而FLASH memory的存储单元采用单管结构，集成度更高； Flash memory的存储单元MOS管的氧化层更薄，而且在浮栅和源极重叠的部分电容小，当控制栅和源极之间加电压时，不部分的电压都降落在浮栅和源极之间，在这里形成隧道区；

RAM：随机存储器；正常状态下可以随时向存储器里写入/读取数据：分为SRAM和DRAM；

SRAM：静态随机存储器；读写速度快，可靠，不用刷新，但占用面积大，集成度低；

DRAM：动态随机存储器；结构单元简单，占用的面积少，集成度高，但需要定期刷新；存取速度不如SRAM快。