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ROM、RAM、SRAM、DRAM等的区别及联系

2022-11-12 11:23
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计算机系统的存储部分是很神奇的存在,因其电子系统的性质及功能用途可采用不同的存储器,很多人或许会听说过RAM、ROM、SRAM、DRAM等,但也有很多人分不清它们的区别,所以本文将一一回答这些存储器。

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ROM: Read-only memory,只 读存储器;电路结构简单,断电以后不会丢失数据;只适用于存储那些固定数据的场合: ROM包括掩膜ROM、可编程ROM (PROM)、可擦除的可编程ROM (EPROM)、可电擦除的可编程ROM (EEPROM);掩膜ROM的数据在制作时已经确认,不能更改; PROM的数据可以由用户根据需要写入,但是一旦写入以后便不能修改; EPROM可以根据需要由用户写入数据而且还能擦除重写(用紫外线擦除),具有更大的灵活性; EPROM采用浮栅结构;而EEPROM可以,用电擦除,EEPROM有控制栅和浮栅两个栅极;

Flash Memory: EEPROM 为保证擦除和写入的可靠性,存储单元采用双管结构;而FLASH memory的存储单元采用单管结构,集成度更高; Flash memory的存储单元MOS管的氧化层更薄,而且在浮栅和源极重叠的部分电容小,当控制栅和源极之间加电压时,不部分的电压都降落在浮栅和源极之间,在这里形成隧道区;

RAM:随机存储器;正常状态下可以随时向存储器里写入/读取数据:分为SRAM和DRAM;

SRAM:静态随机存储器;读写速度快,可靠,不用刷新,但占用面积大,集成度低;

DRAM:动态随机存储器;结构单元简单,占用的面积少,集成度高,但需要定期刷新;存取速度不如SRAM快。


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