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很多电子工程师在设计MCU时，对MCU晶体两边各接一个对地电容的做法表示不理解，甚至查找资料，发现书中讲解很少，提到的往往是：对地电容具稳定作用或视为负载电容等，但没有深入分析，所以今天凡小亿这就开课，讲讲为什么要这么做！在微控制器（MCU
关于滤波电容、去耦电容、旁路电容作用及其原理从电路来说，总是存在驱动的源和被驱动的负载。如果负载电容比较大，驱动电路要把电容充电、放电，才能完成信号的跳变，在上升沿比较陡峭的时候，电流比较大，这样驱动的电流就会吸收很大的电源电流，由于电路中的电感，电阻（特别是芯片管脚上的电感，会产生反弹），这种电流
晶振的负载电容如何计算？
在电子工程中，晶振（晶体振荡器）作为提供稳定、精确频率信号的精密元件，其性能往往受到负载电容的影响。而负载电容是晶振正常振荡所必需的外部电容，工程师必须掌握负载电容的计算方式，确保晶振工作在最佳状态。晶振的负载电容CL通过以下公式计算可得：
介绍源测量单元（SMU）可同时输出和测量电压、电流，广泛用于器件与材料的I-V特性表征，尤其擅长低电流测量。在测试系统中存在长电缆或高寄生电容的情况下，部分SMU可能因无法容忍负载电容而产生读数噪声或振荡。Keithley 4201-SMU（中功率）与4211-SMU（高功率，支持4200-PA前置
时钟漂移不是无解题——从硬件调校到软件补偿，五大精准方案让单片机时钟回归精准。1、硬件层面优化精选外接晶振：优先选择外部晶振（如32.768kHz用于RTC），其精度和稳定性通常优于内部RC振荡器。匹配负载电容：严格参考晶振数据手册，为其搭
PIC单片机在低功耗设计中常因睡眠唤醒失败困扰开发者。本文从硬件设计角度梳理常见原因，帮助快速定位问题。1、晶振选型不当欠激励：低电压下激励功率不足，唤醒时无法起振过激励：易振荡到高次谐波，导致频率漂移2、负载电容不匹配电容值偏差超过±5%
做硬件的应该都遇到过这种场景：板子画好了，器件焊上了，满怀期待上电——结果MCU毫无反应，下载器也连不上。排查半天，最后发现是晶振没起振。晶振不起振，绝对是硬件新手遇到的频率最高（字面意思）的问题。今天把这个坑讲透，以后不再在这里翻车。一、
你以为走线只是一根导线？在高频下，它是电容、电感和电阻的集合体，相位就是这样被偷偷吃掉了。1、分布参数有多大？FR4板上，走线每厘米约有1pF分布电容，7nH分布电感。一根20厘米的走线，光它自己就有约2pF电容和14nH电感。加上负载电容
电压跟随器，增益为1，最简单的电路。但你接上容性负载，它照样给你震荡。问题不在电路本身，在你没处理好那几皮法的负载电容。1、为什么会震荡？运放输出级本身有一定输出阻抗，通常几十欧。这个阻抗和容性负载组成了一个极点。当负载电容超过100pF，
