关于MOSFET的寄生容量和温度特性MOSFET的静电容量功率MOSFET在构造上，如图1存在寄生容量。功率MOSFET在构造上，如图1存在寄生容量 MOSFET的G (栅极) 端子和其他的电极间由氧化膜绝缘，DS (漏极、源极) 间形成PN接合，成为内置二极管构造。Cgs, Cgd容量根据氧化膜的

因为最近拆东西，里面的有些贴片元件我看不懂，然后去恶补了一下知识，这里就再补补。SOT-223这个图基本上就很全面了搭配这个一起看还有这个无论是PNP还是NPN，1脚为基极，2脚为发射极，3脚为集电极无论是P沟道还是N沟道，1脚为栅极，2脚为源极，3脚为漏极无论是P沟道还是N沟道，1脚为栅极，3脚为

极限参数也叫绝对最大额定参数，MOS管在使用过程当中，任何情况下都不能超过下图的这些极限参数，否则MOS管有可能损坏。VDS 表示漏极与源极之间所能施加的最大电压值。VGS 表示栅极与源极之间所能施加的最大电压值。ID 表示漏极可承受的持续电流值，如果流过的电流超过该值，会引起击穿的风险。IDM 表

上周我们推送一篇高大上的SiC应用文章，许多资深工程师为之振奋，一些年轻工程师表示要加紧学习，快速提高自己的水平。今天我们再回到基本面，学习功率MOSFET一些基础知识。10多年前做研发使用功率MOSFET、查阅产品数据表的时候，看到前面好几个电流的定义：连续漏极电流ID、IDSM、脉冲漏极电流ID

上拉就是将不确定的信号通过一个电阻嵌位在高电平!电阻同时起限流作用!下拉同上拉是对器件注入电流,下拉是输出电流:弱强只是上拉电阻的阻值不同,没有什么严格区分:对于非集电极(或漏极)开路输出型电路(如普通门电路)提升电流和电压的能力是有限的,上拉电阻的功能主要是为集电极开路输出型电路输出电流通道。