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MOS功率损耗
MOS管在电源应用中作为开关用时将会导致一些不可避免的损耗，这些损耗可以分为两类： 一类为器件栅极驱动损耗。前面我们说过：MOSFET的导通和截止过程包括电容CISS的充电和放电。当电容上的电压发生变化时，一定量的电荷就会发生转移；需要一定量的电荷使栅极电压在0和VDRV之间变化，变化
MOS功率损耗
MOS管在电源应用中作为开关用时将会导致一些不可避免的损耗，这些损耗可以分为两类： 一类为器件栅极驱动损耗。前面我们说过：MOSFET的导通和截止过程包括电容CISS的充电和放电。当电容上的电压发生变化时，一定量的电荷就会发生转移；需要一定量的电荷使栅极电压在0和VDRV之间变化，变化
全控型器件——电力场效应晶体管分为结型和绝缘栅型，但通常主要指绝缘栅型中的MOS型（Metal Oxide Semiconductor FET）,简称电力MOSFET（Power MOSFET）。电力MOSFET是用栅极电压来控制漏极电流的，它的特点有：驱动电路简单，需要的驱动功率小；开关速度快，工
IGBT驱动器作为电力电子系统的核心控制单元，其性能直接影响IGBT的开关效率、损耗控制及可靠性。本文从技术参数、保护功能、结构适配三个维度，提炼出驱动器选型的九大核心要素。一、驱动参数匹配栅极电压控制正向电压：需提供15V±1.5V驱动电
电路里电流乱窜？MOS管就是你的“交通警察”！它通过栅极电压就能精准指挥电流方向，还能当开关用。今天用最接地气的方式，教你3分钟看懂MOS管如何控制电流方向！1、MOS管的核心结构MOS管有3个关键引脚：源极（S）：电流入口（类似水管进水口
01MOS管主要用在哪些地方？在咱们平时做的各种硬件项目里，MOS管可以说用的最多最普遍，基本上哪儿都能见到它。它本质就是个用电压控制的电子开关，可以用很小的栅极电压来控制很大电流的通断。这种特性让它成为了咱们现代电力电子设计的核心元器件，所以我的公众号之前也陆续写过不少和MOS管相关的文章，今天再
自举电容充不满，高边MOS为何会发热？高边MOS能开起来，不代表栅极电压在整个导通期间都够；真正要看的是VB与VS之间还剩多少电压 半桥样机一上高占空比，高边MOS温度就往上爬。示波器对地量栅极，波形看着很高，于是怀疑器件导通电阻太大。换了
栅压继续加高，MOS总损耗会更低吗？把MOSFET栅压从8V抬到10V，RDS(on)可能下降，整机效率却未必继续提高。核心判断是：更高VGS会改善导通，却也让驱动器每秒搬运更多栅极电荷。导通损耗、驱动损耗、开关速度和额定值必须一起核算，不
