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引言随着半导体技术不断推进，芯片制造工艺面临诸多挑战。在这种背景下，通过晶圆背面进行供电的方案(BSPDN)成为一个重要的技术发展方向。然而，采用BSPDN技术会带来显著的散热挑战，需要通过系统化的分析和策略来解决[1]。图1展示了从RTL测试向量到功耗分析的电子设计自动化(EDA)工作流程，显示了
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随着半导体工艺向高精度、高集成度发展，晶圆形状逐渐突破传统圆形限制，衍生出带缺口（Notch/Flat）、异形切割、曲面晶圆等特殊形态。这些特殊形状对测试工艺提出新挑战，需针对性开发测试方法以确保良率与可靠性。1、带缺口晶圆的定位与测试缺口
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MEMS传感器PCB异质集成突破_晶圆级封装实现成本降低90%MEMS传感器PCB异质集成实现重大突破，晶圆级封装成本降低90%，推动MEMS传感器进入批量应用新时代。2026年全球MEMS传感器市场规模突破200亿美元，同比增长35%，其
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聚辰股份全系列Nor Flash产品涨价25%，半导体涨价潮蔓延至存储芯片据蓝鲸新闻报道，记者从经销商处获悉，受全球半导体产业链波动影响，Nor Flash芯片核心原材料及晶圆、封测等生产环节成本持续走高，聚辰股份已向其经销商下发通知，全系
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