问：一般接口ESD处理方式都是，ESD防护器件一端接电源或信号，另一端接GND或PGND。产品在接地时还好理解，ESD器件将干扰导入到大地；当产品不接地时，ESD器件将干扰导入到GND，虽然GND平面与大地之间有寄生电容可以泄防一部分ESD

SiC MOSFET沟槽结构将栅极埋入基体中形成垂直沟道，尽管其工艺复杂，单元一致性比平面结构差。但是，沟槽结构可以增加单元密度，没有JFET效应，寄生电容更小，开关速度快，开关损耗非常低；而且，通过选取合适沟道晶面以及优化设计的结构，可以实现最佳的沟道迁移率，明显降低导通电阻，因此，新一代SiC

在高频电路设计中，寄生电容的存在是很重要的，它是指在电路中不期望存在的电容，通常是由电路元件之间的绝缘层、导线、接头等产生，它的存在会导致电路的频率响应、增益和相位等特征发生变化，甚至无法正常工作，所以降低RF电容的寄生电容是很有必要的。1

同步BUCK降压变化器是应用非常广泛的一种电源结构，其工作频率由早期的低于100KHz，提高到200KHz、300KHz、350KHz、500KHz、1MHz，甚至更高，工作频率的提高带来的好处是电源系统的体积降低，但是，缺点就是开关损耗会增加。功率MOSFET在进一步减小导通电阻、降低导通损耗的同

在高速PCB设计中，寄生电感和噪声问题是常见的挑战，寄生电感是指电流在导体中产生的磁场所形成的电感，将影响信号的传输速度和稳定性，尤其是在高速PCB中更加明显，噪声问题也一样会对信号传输和系统性能产生负面影响。因此，在高速PCB设计中，需要

​答：过孔的两个寄生参数是寄生电容和寄生电感。

PCB设计中晶体的π型滤波应该怎么设计？答：在晶体的电路设计中一般都采用π型滤波来进行设计，原理图设计部分如图1-41所示，后期我们在进行PCB布局布线的时候，要注意以下几点：布局整体紧凑，一般放置在主控的同一侧，靠近主控IC，尽量不要靠近板边；布局是尽量使电容分支要短，目的是为了减小寄生电容；晶振电路一般采用π型滤波形式，放置在晶振的前面；晶体和晶振的布局要注意远离大功率的元器件、散热器等发热的器件。其原理图设计部分如图1-41所示。 图1-41 晶体π型滤波电路示意图其PCB设计部

​走线过孔与元器件通孔在内层的焊盘具有寄生电容的效应，易造成阻抗不连续，导致信号反射，从而影响信号完整性，allegro提供简单快捷的误判设计功能，可在设计端就将无走线连接层的焊盘去除，最大限度地保证过孔或通孔处与走线阻抗一致。

mos管寄生电容