前面学了六种场效应管，了解了结构和伏安特性，模拟电路利用它们的恒流区构成共源、共漏和共栅的放大电路，数字电路利用它们的可变电阻区和截止区制成各种开关电路。场效应管放大电路的分析和晶体三极管放大电路分析是相同的，都是遵循“先静态，后动态”的原则。求解场效应管放大电路时可以利用已有的求解晶体三极管放大电

IGBT，全称为绝缘栅双极型晶体管（Insulated Gate Bipolar Transistor），是一种由双极型三极管（BJT）和绝缘栅型场效应管（MOS）组成的复合全控型电压驱动式电力电子器件。它具有强电流、高压应用和快速终端设备

MOS管，即金属氧化物半导体场效应管，凭借着输入阻抗高、开关速度快、热稳定性优良等特点，是现代电子电路中常用的半导体器件之一。在MOS管的结构中有三个重要电极，分别是G极、S极、D极，下面聊聊这些电极。一般来说，一个典型的N沟道MOS管由一

作为电子工程师，想必对MOS管（金属氧化物半导体场效应管）不陌生吧，MOS管在多种电路非常重要，但在实际应用中可能会存在一定的风险，其中之一就是静电击穿，下面我们来看看，MOS管是否能被静电击穿？1、什么是静电击？一般来说，静电击穿是指由于

场效应管是电子产品的基本模块之一，也是制造业中最重要的电子元件之一，在数字和模拟集成电路中发挥着重要作用，也是常见的功率器件，电子工程师需要对场效应管有一定的了解，今天将以场效应管为主，用简洁明了的语言，详谈场效应管的工作原理及特点。零基础

晶体管具有检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制等多种功能，逐渐开始替代真空管，成为几乎所有电子电路中必不可少的基础单元，今天我们来谈谈BJT、NPN、PNP、FET和JFET是什么？1、BJTBJT全称为Bipolar Junction

在PCB设计中，电子工程师会遇见各种各样的问题，其中之一是MOS管（金属氧化物半导体场效应管）的发热问题，遇到这些问题如何分析发热、如何解决？下面一起来看看吧！1、MOS管为什么会发热？①导通时的电阻 在MOS管导通时，其通道内会有一定电阻

在电子工程中，米勒效应是一个重要的概念，尤其是在MOS管（金属氧化物半导体场效应管）开关的应用中，但有很多电子小白不太清楚这个效应，所以今天将开展这个话题的讨论，希望对小伙伴们有所帮助。按定义来说，米勒效应是指在MOS管的栅极和源极之间加上

MOS管，即金属氧化物半导体场效应管，是电子电路中常见的重要元件，因此很多电子工程师会选择在电路板上使用MOS管，但在使用过程中经常会遇见MOS管莫名被烧毁的问题，这些问题是如何造成的？如何解决？今天凡亿教育细说下，希望对小伙伴们有所帮助。