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MOS管本质上属于静电放电（ESD）敏感器件，本身的输入电阻很高，但栅源极间电容很小，所以相对于其他元件，MOS管更容易受到外界电磁场或静电的感应而带电，也会在强静电场合难于泄放电荷，静电击穿现象更明显。那么如何解决这个问题？一般来说，静电
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MOS管能否被静电击穿？
作为电子工程师，想必对MOS管（金属氧化物半导体场效应管）不陌生吧，MOS管在多种电路非常重要，但在实际应用中可能会存在一定的风险，其中之一就是静电击穿，下面我们来看看，MOS管是否能被静电击穿？1、什么是静电击？一般来说，静电击穿是指由于
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一、MOS管输入电阻很高，为什么一遇到静电就不行了？MOS管一个ESD敏感器件，它本身的输入电阻很高，而栅-源极间电容又非常小，所以极易受外界电磁场或静电的感应而带电，又因在静电较强的场合难于泄放电荷，容易引起静电击穿。静电击穿一般分为两种
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