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众所周知,随着芯片先进制程工艺的提升,必然带来的是研发难度几何指数增长,作为全球最优秀的晶圆代工厂商——台积电,研发3nm制程就遇到了不少难关,如良品率、原材料上涨、光刻机等。然而,近日台积电总裁魏哲家在法人说明会上披露:台积电有望在202

​台积电最快将在2025年量产2nm芯片

众所周知,全球可从事芯片先进制程工艺的晶圆厂商非常少,目前仅有台积电、三星电子、英特尔等,其中台积电和三星电子是最早代工3nm工艺并取得一定成果。然而,据外媒报道,作为当前全球最先进的晶圆代工厂商,台积电和三星的3nm制程工艺良品率均未超过

传台积电和三星的3nm工艺良品率未过60%

提起《芯片法案》,可能很多人都会想到美国拜登政府推出的《芯片和科学法案》,补贴甚至高达530亿美元,但本文所说的《芯片法案》是来自欧洲。据央视新闻报道,当地时间9月21日,欧洲《芯片法案》正式生效,根据欧盟委员会的公告显示,该芯片法案他过了

欧洲《芯片法案》正式生效,剑指2nm工艺

随着台积电和三星在芯片先进制程的不断钻研,芯片的摩尔定律即将达到物理极限,研发5nm以下的芯片难度翻倍增长,面对2nm芯片良品率低和成本高昂、性能表现不佳等的困境,或许NVIDIA能够帮上忙。近日,NVIDIA春季GTC技术大会如期召开,作

NVIDIA推芯片光刻技术,ASML等抢着要用

众所周知,芯片的研发规律主要遵循摩尔定律,也就是每18个月到两年间,芯片的性能将翻倍增长,但由于随着芯片先进制程的提升,芯片难以达到极限,遇到技术瓶颈,所以很多人认为基于磁性材料发展建立的自旋电子学以及磁子电子学,有望帮助芯片突破物理极限。

​中国发现全新磁子态,可应用芯片雷达

很少人知道,除了光刻机之外,半导体芯片先进制程的最大关键还有光刻胶,而全球光刻胶市场基本上是以美日公司为垄断,我国很少在光刻机和光刻胶领域上占得优势,如今好消息传来,我国国产高端光刻胶已获得重大突破!近日,国产公司晶瑞电材在互动平台上表示透

成功打破垄断!国产高端光刻胶已量产!

据报道,目前英特尔方面已经完成了代号为Intel 20A(2纳米级)和Intel 18A(1.8纳米)芯片制造工艺的研发。需要强调的是,这两项新工艺节点尚处于早期研发阶段,离真正可以用于大规模商业量产还非常遥远,一旦完善成熟之后,这两项工艺

英特尔已成功完成1.8nm和2nm工艺研发工作

众所周知,台积电和三星是唯二能够制作出3nm先进制程的晶圆代工厂商,因此中国台湾和韩国、美国是半导体比较发达的区域,为保证其技术优势,台积电和三星多次优化半导体人才培养体系。最近台积电再度搞出大动作!近日,台积电宣布正式启动大学FinFET

继16nm后,台积电已开放7nm相关课程扶持人才

近年来,受美国对中国集成电路产业的持续打压,加上多种电子行业需求的拉动,国产集成电路设备企业快速发展,国产集成电路设备企业迎来了高速发展期,虽然在先进制程和制造工艺受限于国外厂商,但大量创新性企业百花齐放,为我国集成电路产业的崛起奠定了基础

中国集成电路产业面临哪些挑战及机遇?

随着芯片制造体系的完善,芯片内嵌的晶体管数量越来越多,芯片的先进制程已发展到3nm,现阶段,以台积电、三星为首的晶圆代工厂商都在积极布局芯片的更先进制程节点,越来越多的人开始好奇:1nm制程节点何时生产,是谁先领跑。业界人士预测,按照各大晶

​1nm芯片先进制程最快2027年投产,谁能领跑?