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半导体互连技术的演进
引言随着半导体工业进入10埃米（10Å）节点，互连技术正面临重大转变。使用了三十年的铜基互连已达到物理极限，需要在材料和制造工艺上进行根本性改变。目前互连堆叠结构消耗了器件33%的功耗，并造成芯片75%的RC延迟，因此这项技术变革对半导体制造具有深远影响。当前互连技术的挑战在10Å节点，尽管金属线的
何时应使用阻抗匹配网络？哪种网络适合系统？答案是：“视情况而定”。如果设计两个部件之间的互连线时，源和负载的阻抗不匹配，那么则很有可能需要一个匹配网络。是否需要阻抗匹配网络？答案取决于信号的上升时间和沿互连线的传播延迟。如果传播延迟超过信号上升时间约50%（对于数字信号），或者超过振荡周期的四分之一
当5G基站因1μm的通孔错位导致信号衰减超标，当服务器主板因阻抗失配引发数据丢包，PCB工程师终于意识到：层间互连的精度控制，早已超越“工艺要求”，成为决定产品生死的技术红线。一、通孔阻抗失配：高速信号的“隐形杀手”核心矛盾：通孔的物理结构
光电共封装技术与现有挑战随着加速计算需求的持续增长，现代数据中心和高性能计算系统中的大规模数据传输正在成为关键瓶颈。为了实现数据传输需求，电气互连的总吞吐量快速增长。基于硅基光电子技术的光电共封装(CPO)技术已经成为解决带宽密度和能源效率挑战的重要方案[1]。图1：NVLink在五代GPU中部署的
先进光电共封装引擎
引言人工智能和机器学习应用的指数级增长已经对数据中心的高带宽、低延迟光学连接产生了巨大需求。传统的光学互连解决方案，如可插拔光学模块，在满足现代超大规模计算环境日益增长的数据速率要求方面已经达到极限。这一挑战推动了先进硅基光电子封装技术的发展，使光电共封装系统能够支持下一代AI/ML集群和高性能计算
引言随着数据中心和高性能计算系统需求的不断增长，功耗效率高、延迟低、密度大的互连设计变得格外重要。本文探讨了数据中心应用中光互连设计的关键技术，主要针对约100米传输距离的应用场景[1]。1系统架构现代数据中心的光互连系统需要在保持功耗效率的同时处理大量数据吞吐量。一个高速光互连系统的基本架构包含多
项目开工12月8日，黄石沪士电子有限公司高层高密度互连板项目在湖北黄石正式开工建设。项目概况该项目由黄石沪士电子有限公司投资建设，总投资36亿元人民币。项目建设分为两个阶段推进，其中第一阶段投资18亿元，计划利用现有土地建设约6.5万平方米
EMIB技术概述嵌入式多芯片互连桥接技术（Embedded Multi-die Interconnect Bridge，EMIB）是半导体封装领域的一项重要技术进步，专门应对人工智能、机器学习和高性能计算应用日益增长的需求。这些先进的计算系统需要出色的数据吞吐量和最小的延迟来有效运行。EMIB技术提
芯片制作的第一步是设计。这一阶段涵盖芯片的功能定义、逻辑设计与电路布局。设计工程师利用硬件描述语言（如Verilog、VHDL）进行电路设计和仿真，确保功能满足预期。同时，设计还包括物理设计，即芯片内各个电路模块的具体排布和互连，这是确保芯
无压纳米烧结银：AI加速器市场的隐形基石无压纳米烧结银正成为AI加速器中GPU/TPU/NPU的核心封装材料，以高导热、低温无压、高可靠、低成本四大优势，破解高算力下的散热、互连与成本瓶颈，直接驱动AI算力密度、能效与良率的跨越式提升。一
