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为什么电源IC会损坏原因有哪些-通常情况下，电源 IC 的损坏经常是由于输入电压过应力造成的，这在电源热插入导致出现过高电压尖峰或由线路电感和低 ESR 陶瓷电容形成谐振时就会发生。
Vishay推出汽车级DC-Link金属化聚丙烯薄膜电容器――MKP1848H DC-Link-日前发布的径向灌封电容器确保恶劣工作环境条件下极为稳定的容量和ESR值，延长使用寿命。
Vishay推出可在高湿环境下确保稳定容量和ESR的汽车级DC-Link 薄膜电容器-日前发布的径向灌封电容器确保恶劣工作环境条件下极为稳定的容量和ESR值，延长使用寿命。
金升阳推出内置高压MOS管功率开关的AC/DC电源控制芯片――SCM1738ASA-SCM1738ASA是一款内置高压MOS 管功率开关的原边控制开关电源（PSR），采用PFM 调频技术，提供精确的恒压/恒流（CV/CC）控制环路，稳定性和平均效率非常高。
答：对于不同的焊盘有不同命名方法，这里给大家介绍一下普遍的命名方法，具体如下所示：Ø 贴片类焊盘命名方式：1） 圆焊盘circle ：SC + 直径，如： SC1R00，即直径为1mm的圆焊盘；2） 方形焊盘rect： SR+ 长 X 宽，如：SR1R00X1R00，即长与宽都为1mm的方形焊盘；3）椭圆形焊盘oblong ：SOB + 长 X 宽，如： SOB1R00X2R00，即长与宽为2mm、1mm的椭圆形焊盘。Ø 通孔类焊盘命名方式：1）圆焊盘通孔
MRAM，即磁阻式随机访问存储器的简称，兼备SRAM的高速读写性能与闪存存储器的非易失性。STT-MRAM是通过自旋电流实现信息写入的一种新型MARM，属于MRAM的二代产品，解决了MRAM写入信息存在的问题。STT-MRAM存储单元的核心仍然是一个MTJ（磁性隧道结），由两层不同厚度的铁磁层及一层
随着时代发展，数据处理量日益增长，越来越多的电子工程师急需好用的存储器来提供存储空间，这也促使存储器逐渐成为电子设备必备的核心部分，今天我们来盘点那些常见的存储器。1、SRAM即静态随机存储器，存取速度快，但容量小，一旦掉电后数据将丢失，不
计算机系统的存储部分是很神奇的存在，因其电子系统的性质及功能用途可采用不同的存储器，很多人或许会听说过RAM、ROM、SRAM、DRAM等，但也有很多人分不清它们的区别，所以本文将一一回答这些存储器。ROM： Read-only memor
做过的一个项目，一款远距离测温传感器， ModbuSRTU 协议 ：硬件平台：STM32L051485模块：致远电子 RSM3485传感器探头：欧姆龙 D6T I2C通讯文章对本次项目做个笔记，方便以后再次用到。前言一、硬件部分1.1 STM32部分1.2 传感器部分1.3 485通讯部分1.4
