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英飞凌OptiMOS?源极底置功率MOSFET系列新添PQFN封装的40 V装置-OptiMOS SD 40 V低电压功率 MOSFET 提供两种版本：标准版和中央栅极版。中央栅极版针对多部装置并联作业进行了优化。
Littelfuse全新50A单向瞬态抑制二极管阵列系列适用于消费类电子产品-SP1250分散式单向瞬态抑制二极管采用专有的硅雪崩技术制造。该二极管阵列可为消费电子设备提供高ESD（静电放电）保护。
ADM2582E/ADM2587E是具备±15 kV ESD保护功能的完全集成式隔离数据收发器，适合用于多点传输线路上的高速通信应用。其内部集成的RS-485驱动器带有一个高电平有效使能电路。
2 GHz带宽！鼎阳科技发布SDS6000 Pro高分辨率高带宽数字示波器新型号-作为国内首款12-bit高分辨率，2GHz高带宽数字示波器，SDS6000 Pro 为高速小信号的测量带来了更多可能性。
2020年1-7月全球动力电池总装机量同比减少16.8%-据外媒报道，近日，韩国新能源市场分析公司SNE Research发布的最新调查结果显示，2020年1-7月全球动力电池总装机量同比减少16.8%，但LG化学、三星SDI、SK创新三大韩企的增长势头依然迅猛。
2020年1-7月全球动力电池总装机量同比减少16.8%-据外媒报道，近日，韩国新能源市场分析公司SNE Research发布的最新调查结果显示，2020年1-7月全球动力电池总装机量同比减少16.8%，但LG化学、三星SDI、SK创新三大韩企的增长势头依然迅猛。
某接地台式产品，对接地端子处进行测试电压为6KV的ESD接触放电测试时，系统出现复位现象。测试中尝试将接地端子与内部数字工作地相连的 Y电容断开，测试结果并未明显改善。
答：PCB设计中常用的存储器有如下几种：Ø SDRAM，Synchronous Dynamic Random Access Memory（同步动态随机存储器）的简称，SDRAM采用3.3v工作电压，带宽64位，SDRAM将CPU与RAM通过一个相同的时钟锁在一起，使RAM和CPU能够共享一个时钟周期，以相同的速度同步工作，与 EDO内存相比速度能提高50%；Ø DDR， Dual Data Rate双倍速率同步动态随机存储器,严格的说DDR应该叫DDR SDRAM，人们习惯称
答：在PCB设计中，等长走线主要是针对一些高速的并行总线来讲的。由于这类并行总线往往有多根数据信号基于同一个时钟采样，每个时钟周期可能要采样两次（DDRSDRAM）甚至4次，而随着芯片运行频率的提高，信号传输延迟对时序的影响的比重越来越大，为了保证在数据采样点（时钟的上升沿或者下降沿）能正确采集所有信号的值，就必须对信号传输的延迟进行控制。等长走线的目的就是为了尽可能的减少所有相关信号在PCB上的传输延迟的差异。高速信号有效的建立保持窗口比较小，要让数据和控制信号都落在有效窗口内，数据、时钟或数
答：PCB设计中常用的存储器有如下几种：Ø SDRAM，Synchronous Dynamic Random Access Memory（同步动态随机存储器）的简称，SDRAM采用3.3v工作电压，带宽64位，SDRAM将CPU与RAM通过一个相同的时钟锁在一起，使RAM和CPU能够共享一个时钟周期，以相同的速度同步工作，与 EDO内存相比速度能提高50%；
