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【电子设计基本概念100问解析】第94问 PCB设计中常用的存储器有哪些?

2021-05-11 11:03
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答:PCB设计中常用的存储器有如下几种:

Ø SDRAM,Synchronous Dynamic Random Access Memory(同步动态随机存储器)的简称,SDRAM采用3.3v工作电压,带宽64位,SDRAM将CPU与RAM通过一个相同的时钟锁在一起,使RAM和CPU能够共享一个时钟周期,以相同的速度同步工作,与 EDO内存相比速度能提高50%;

QQ截图20210511110239.png

Ø DDR, Dual Data Rate双倍速率同步动态随机存储器,严格的说DDR应该叫DDR SDRAM,人们习惯称为DDR。与传统的单数据速率相比,DDR技术实现了一个时钟周期内进行两次读/写操作,即在时钟的上升沿和下降沿分别执行一次读/写操作;

Ø DDR2,DDR2(Double Data Rate 2)SDRAM是由JEDEC(电子设备工程联合委员会)进行开发的新生代内存技术标准,它与上一代DDR内存技术标准最大的不同就是,虽然同是采用了在时钟的上升/下降沿同时进行数据传输的基本方式,但DDR2内存却拥有两倍于上一代DDR内存预读取能力(即:4bit数据读预取)。换句话说,DDR2内存每个时钟能够以4倍外部总线的速度读/写数据,并且能够以内部控制总线4倍的速度运行;

Ø DDR3,DDR3(Double Data Rate 3)SDRAM是DDR2的升级产品,采用8bit预取设计,而DDR2为4bit预取,采用点对点的拓扑架构,以减轻地址/命令与控制总线的负担,采用100nm以下的生产工艺,将工作电压从DDR2的1.8V降至1.5V,增加异步重置(Reset)与ZQ校准功能;

Ø FLASH,Flash内存即Flash Memory,全名叫Flash EEPROM Memory,又名闪存,是一种长寿命的非易失性(在断电情况下仍能保持所存储的数据信息)的存储器。在实际应用中的闪存主要分为NOR和NAND两种。NOR有着较快的数据读取速度,但数据写入速度却很慢。在电子产品中一般作为程序存储器。而NAND虽然数据读取速度比NOR慢,但数据写入速度却比NOR快的多,因此在电子产品中一般作为数据存储器;

Ø QDR,QDR(Quad Data Rate):四倍数据倍率,在DDR的基础上,拥有独立的写接口和读接口,以此达到4倍速率,例如QDR-SRAM等 。DDR2-SDRAM,DDR3-SDRAM基本原理和DDR-SDRAM是一样的,通过提高时钟频率来提升性能,因为时钟频率提高了,必须做相应的预处理(DDR支持2、4、8busrt, DDR2支持4和8,而DDR3只支持8)。

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