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运放后面只加电容，为何输出开始振铃？输出电容会与运放输出阻抗一起进入反馈环，新增极点可能把原本充足的相位裕量迅速吃掉 为了滤掉噪声，或者驱动ADC采样电容、长线和大面积MOS栅极，有人会在运放输出端直接并一颗电容。直流结果没问题，阶跃一来却
同步整流换上MOS，为何效率反而下降？同步MOS能降低导通压降，但只有门极窗口与副边电流方向重合时，这份理论优势才会变成整机效率 把肖特基换成低导通电阻MOSFET，损耗公式看起来更漂亮，实测效率却可能没有提升。轻载时驱动本身在耗能，死区太
自举电容充不满，高边MOS为何会发热？高边MOS能开起来，不代表栅极电压在整个导通期间都够；真正要看的是VB与VS之间还剩多少电压 半桥样机一上高占空比，高边MOS温度就往上爬。示波器对地量栅极，波形看着很高，于是怀疑器件导通电阻太大。换了
MOS并联参数一样，电流为何仍不均？同型号、同批次只能缩小参数差异，不能替代支路对称与开关瞬态验证 两颗MOS并联，直流电阻差不多，散热器也共用，为什么热像上总有一颗更热？把电流表放在平均值上，可能看不出问题；把时间轴拉到开通和关断瞬间，电
MOSFET开得更快，VDS尖峰为何更高？开关更快不等于更安全，栅极回路需要的是受控速度 栅极电阻越小，驱动器给栅极充放电越快，开关损耗可能下降；与此同时，峰值驱动电流、VDS过冲、栅极振铃、米勒误导通和EMI也可能变得更严重。选值必须用波
面对一堆分立元件如何布局
想请教一下，电路中是一些分立元件，有三极管，MOS管，电容， 电阻，稳压二极管。是应该按照信号的流向摆放元件？还是把同类型的元件先摆放在一起（比如有3个MOS管，先把他们摆放在一起？），然后再拉线么？。因为发现如果按照信号的流向摆放元件，然后感觉元件的摆放就杂乱无章。 但是如果把同类型的元件摆放在一
D在RCD吸收的时候，对于二极管的选取，其耐压值为什么要按照vcc供电电压去选取，而不是MOS管关断瞬间产生的那个高压？
