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大多数电路设计师可能并未考虑过，更不用说担心金属铜了。但随着全球电气化的不断推进，从微芯片、电子元器件和电路板，到家用、工业和汽车电线，再到电池和电动机等关键设备，铜导线都发挥着重要作用，这表明我们需要对铜加以更多关注。关键矿产与铜在清洁能源中的作用首先引用国际能源署（IEA）的一段话：“由清洁能源
一、Laser DIE 及其制备激光器芯片根据材料体系有GaN基蓝光系列、砷化镓、磷化铟等组合起来的三元或者四元体系。每一种体系由于其最优的外延基板不同，P、N面打金线方向不同，有正负极同向、有反向。激光芯片根据使用范围主要有大功率应用的可见光、通讯用的红外光，还有医疗美容用的800~980n
如何才能不烧射频PA？
PA（Power AmplifIEr，功率放大器）是通信系统的重要组成模块，负责将射频信号的放大与功率输出。PA的性能及可靠性对整个发射系统有重要的影响。在手机通信系统中，PA的输出信号约为29~32 dBm (约1,000 mW)的大功率，对比收发机芯片0dBm (1mW)左右的功率输出 ，PA输
FinFET技术自2011年商业化以来，已经统治半导体行业十余年，但随着工艺节点推进至3nm以下，其性能增长濒临物理极限，因此，GAAFET技术问世，逐渐成为下一代半导体主流。FinFET全称Fin FIEld-Effect Transis
GAAFET自问世以来，备受行业关注，人们认为它可以打破FinFET的物理极限，有益于推进3nm以下的工艺节点，那么它凭什么？1、GAAFET技术是什么？全称：Gate-All-Around FIEld-Effect Transistor（
在PCB设计中，若需提取特定封装，传统用Allegro自带导出方法需通过"File→Export→LibrarIEs"导出全部封装库文件，如图1所示，再在生成的库文件中手动查找目标封装，这种方式不仅操作繁琐，且在封装数量较多时效率低下；而使
MOS管，是MOSFET的缩写，全拼是Metal-Oxide-Semiconductor FIEld-Effect Transistor，翻译过来是金属-氧化物半导体场效应晶体管，根据导电沟道的不同，MOS可以细分为NMOS和PMOS两种。下图是NMOS的示意图，从图中红色框内可以看到，MOS在D、
大家好，我是王工。近期在公司PCB layout评审过程中，关于USB3.0背面接口区域是否需要做掏空处理的问题，团队中存在一些不同的见解。今天我想借此机会与大家一起探讨交流这个技术细节，看看大厂都是要求怎么做的。011大厂对高速接口的设计要求在高速信号接口，如USB3.0、HDMI、PCIE、SA
大家好，我是王工。今天和大家分享一下InnoscIEnce的GaN Layout设计指导手册中的关键要点。虽然手册主要针对GaN器件，但其中的设计思路和优化方法同样适用于我们常见的开关电源设计。在实际工程应用中，良好的PCB布局设计对系统性能至关重要。为了充分发挥功率器件的开关特性，同时避免各种干扰
引言在模拟光通信中，包括微波光子学和射频光纤传输，电光（E/O）信号转换的线性度是一个关键性能指标。传统的微环调制器由于其洛伦兹传输曲线形状，常常存在非线性电光传输特性。本文探讨了一种创新方法：通过法诺共振可实现增强线性度的双注入硅微环调制器（MRM）。无杂散动态范围（SFDR）是评估器件线性度的重
