NAND闪存是一种电压原件，靠其内存电压来存储数据。市场上主流的掉电还能保存数据的存储芯片主要有，EEPROM，NOR Flash, NAND Flash，EMMC, UFS。　　闪存的内部存储结构是金属-氧化层-半导体-场效晶体管(MOSFET)，里面有一个浮置栅极(Floating Gate)

一、【TMS320F28375SPTPS】微控制器 IC MCU 32BIT 1MB Flash 176HLQFP核心处理器：C28x内核规格：32 位单核速度：200MHz连接能力：CANbus，EBI/EMI，I²C，McBSP，SCI

答：椭圆形焊盘的Flash一般可按以下公式进行计算尺寸：B = H’ + 0.5 mmD = W’ + 0.5 mm – B

STM32F429外接SDRAM和NAND Flash时数据线和地址线有必要做等长吗？

为什么数据填好了热风焊盘不能生成，反而会报错Arc segment is outside of the extents.

我用正点原子的ST-LINK/V2连接STM32F103C8T6，用的是SWD模式。但老识别不出芯片来，接线没有问题，是新芯片没有烧过程序，在网上找了方法没用，想问问有没有以前出现过类似情况的，如何解决啊？显示问题为：Error: Flash Download failed-Target DLL h

4层核心板视频讲解Flash地址线等长的时候，为什么A15-A19这几根线按照2800mil走，而不是参考A0-A14的长度，这样A0-19长度不一样，信号延时不是不相等吗？

不还是会要出现从总线上分线头出来的问题所以个人认为在非必要情况下，只要不小于90°，都是可接受的DDR3/4里面，多片Flash，这种情况很常见

老师 可我保存的时候报错了说ANTI这层也需要的弄这两个文件我有，看我想做做看保存了就报需要在ANTI PAD设置