一、W25M02GW1.8V 2G位（2 X 1G位）串行SLC NAND闪存1、简介：W25M02GW（2 X 1G位）串行MCP（多芯片封装）闪存基于W25N串行SLC NAND SpiFlash®系列，将两个单独的W25N01GW芯片

据台媒报道，近日有业界人士分析，芯片制造商入局200层以上3D NAND闪存芯片，将掀起一场风波，这风波将促使QLC SSD的应用，尤其是在2023年的消费电子领域。据业界人士分析，在消费类SSD中，QLCNAND的采用率预计将在明年达到2

NAND闪存是一种电压原件，靠其内存电压来存储数据。市场上主流的掉电还能保存数据的存储芯片主要有，EEPROM，NOR FLASH, NAND FLASH，EMMC, UFS。　　闪存的内部存储结构是金属-氧化层-半导体-场效晶体管(MOSFET)，里面有一个浮置栅极(Floating Gate)

自从美国商务部发布了主要针对DRAM芯片和NAND闪存芯片的中国技术出口限制，该限制内容为芯片制造商在采购生产设备时，若涉及到美国供应商，将受到严格审查，涉及范围有18nm或以下的DRAM芯片、128层或以上的NAND闪存芯片、14纳米或以

近日，知名市场调查机构Yole Dédevelopement发布《内存行业年度状况报告》，报告中分析了2022年DRAM和NAND闪存芯片市场的发展趋势及预测，今天将为小伙伴们划出重点。报告中指出，2022年，DRAM市场将增长为25%，市