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Micro SD卡是一种极细小的快闪存储器卡,其格式源自SanDisk创造,原本这种记忆卡称为T-Flash,及后改称为Trans Flash;而重新命名为Micro SD的原因是因为被SD协会 (SDA) 采立。另一些被SDA采立的记忆卡包括Mini SD和SD卡。其主要应用于移动电话,但因它的体积微小和储存容量的不断提高,已经使用于GPS设备、便携式音乐播放器和一些快闪存储器盘中。

Micro SD卡/TF卡PCB设计详细规范

1、介绍推出业界速度最快1.8V低电压四I/O MXSMIO™ (Serial Multi I/O)序列闪存。新的MX25U家族8Mb~64Mb于四个 I/O 模式操作,每个I/O速度高达104MHz,不仅在储存下载SnD(Store an

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推出业界最快1.8V低电压四I/O MXSMIO MX25U25645GXDI00、MX25U25645GZ4I00(NOR)串行闪存

1、简介:RX651系列 32 位通用微控制器非常适用于需要增强安全性、连接功能和 HMI 的物联网设备。RX651系列MCU内置大容量闪存和 RAM,具有多种封装,该系列MCU解决了在工业、网络控制、楼宇自动化及智能计量系统中使用的紧凑

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明佳达电子Mandy 2023-10-16 17:02:03
RX651系列【MCU】R5F5651CDDFP、R5F5651CHGFP带有RXv2内核、增强安全性、连接性和 HMI 功能

产品概述:PIC18F高性能微控制器结合了大型闪存/EE/RAM存储器、丰富的外设集成、XLP和5V支持,以适应各种通用应用。这些28/40/44引脚器件可提供内核独立外设,例如CWG、WWDT、CRC/存储器扫描、硬件CVD、零交叉检测和

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明佳达电子Mandy 2023-11-22 15:52:00
64MHz、8位微控制器(MCU)PIC18F47K40T-I/PT、PIC18F13K22T-I/SS产品概述、规格

众所周知,为打压国内半导体行业发展,美国可谓是无所不及,多方位制裁。最近美国在SSD芯片上搞了大举动。近日,美国商务部工业于安全局(BIS)公布法律新规,更新了对三星和SK海力士的一般授权,将这两家公司在华工厂纳入“经验证最终用户(VEUs

美国又搞事?SSD价格战不可避免!

在智能手机的快速发展中,闪存作为存储数据的核心组件,其接口类型及速度等级对于用户体验至关重要,然而很多人不太清楚手机闪存规格及标准,下面将谈谈这些。1、手机闪存接口类型有哪些?①eMMC(嵌入式多媒体卡)eMMC是一种较早的闪存接口标准,广

手机闪存规格有哪些?如何判断快闪闪存标准?

概述PSOC™62性能系列微控制器基于超低功耗40nm平台,结合了Arm ® Cortex®-M4和Arm® Cortex®-M0 + CPU。该器件包括低功耗闪存技术、可编程数字和模拟资源以及同类最佳的CAPSENSE™ 技术,用于触摸和

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明佳达电子Mandy 2024-03-20 13:26:01
双核、具有低功耗闪存技术 CY8C6247FDI-D32T、CY8C6247BZI-D34高性能系列微控制器

一直以来,华为正在努力向多领域发展,试图构建全生态系统,如今华为在存储领域接连放大招,甚至带来了消费级别的SSD产品,一起来看看吧。近日,华为发布了KitStor Xtreme系列高性能M.2闪存条产品,它读取速度达7400MB/s,其拥有

华为首次推出消费级SSD,全国产打造!
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NAND闪存

NAND闪存是一种电压原件,靠其内存电压来存储数据。市场上主流的掉电还能保存数据的存储芯片主要有,EEPROM,NOR FLASH, NAND FLASH,EMMC, UFS。  闪存的内部存储结构是金属-氧化层-半导体-场效晶体管(MOSFET),里面有一个浮置栅极(Floating Gate)

NAND闪存

介绍:S3A1单片机系列是监控应用的理想选择,对于多服务提供以及持续功能升级,S3A1单片机系列可提供充足的扩展空间,可以优化的功耗低、高性能,内置Arm®Cortex®-M4内核,CPU运行速度高达48 MHz 、拥有1 MB的闪存及19

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明佳达电子Mandy 2023-12-22 16:41:29
带有48MHz Arm® Cortex®-M4内核的R7FS3A17C2A01CLK、R7FS3A17C2A01CLJ 32位微控制器