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0、前言锂离子电池包的内部，电芯和输出负载之间要串联功率MOSFET，使用专用的IC控制MOSFET的开关，从而对电芯的充、放电进行管理，如图1所示。在消费电子系统中，如手机电池包，笔记本电脑电池包等，带有控制IC、功率MOSFETFE管以及其他电子元件的电路系统称为电池充放电保护板Protecti
上周我们推送一篇高大上的SiC应用文章，许多资深工程师为之振奋，一些年轻工程师表示要加紧学习，快速提高自己的水平。今天我们再回到基本面，学习功率MOSFET一些基础知识。10多年前做研发使用功率MOSFET、查阅产品数据表的时候，看到前面好几个电流的定义：连续漏极电流ID、IDSM、脉冲漏极电流ID
功率MOSFET的数据表中，通常列出了包括单脉冲雪崩能量EAS、单脉冲雪崩电流IAS、重复脉冲雪崩能量EAR、重复脉冲雪崩电流IAR等参数，许多电子工程师在设计电源系统的过程中，很少考虑到这些参数与电源系统的应用有什么样的联系，如何在实际的应用中评定这些参数对系统的影响，以及在哪些应用条件下需要考虑
MOSFRT晶体管是现代电子电路中常用的关键器件，但在使用过程中很容易出现晶体管被击穿等问题，导致电子设备无法正常使用，那么针对这个情况该如何分析原因并找到解决方法？1、过压过压是指在MOSFET晶体管的极间施加过高的电压，超过了其最大耐压
TLE92108-232QX 多MOSFET驱动器设计在一个封装中最多控制8个半桥（最多16个N沟道MOSFET）。TLE92108-23xQX驱动器非常适合用于涉及汽车直流电机和电磁阀控制的应用，如电动座椅模块、电动闭合系统等。通过24位
同步BUCK降压变换器的基本结构包括PWM控制器、主开关管（上管，功率MOSFET）和续流管（下管，功率MOSFET）、以及输出电感和滤波电容。通常，PWM控制器内部带有直接驱动功率MOSFET的输出图腾柱，从而简化系统设计，如图1所示。 输出负载电流较小时，将2个功率MOSFET集成到IC内部，进
很多读者要求介绍一下IGBT内容，这期就论述IGBT基础：结构及特点，下一篇回到MOSFET，介绍完MOSFET相关内容后，再进一步介绍IGBT的数据表。我们的工程师经常会问到： 穿透型、非穿透型IGBT，这里的"穿透"、"非穿透"是什么含义？IGBT具有不同的内部结构，如穿透型、非穿透型和现在广泛
IGBT关断过程分析
01前言绝缘栅双极型晶体管(IGBT) 是双极型晶体管(BJT) 和场效应晶体管(MOSFET) 的复合器件,IGBT将BJT的电导调制效应引入到VDMOS 的高阻漂移区, 大大改善了器件的导通特性, 同时还具有MOSFET栅极输入阻抗高、开关速度快的特点。很多情况，由于对IGBT关断机理认识不清,
随着时代高速发展，电源因为能给其他设备提供动力，开始成为半导体行业的重要组成部分，开关电源的种类大致上可归类为正激式和反激式，下面我们来看看它们有什么区别？一般来说，开关电源的作用是通过开关器件（通常是晶体管或MOSFET）控制电能的电源，
随着芯片制程工艺的提升，由于晶体管密度限制和工艺提升难度，三星率先在芯片工艺上放弃FinFET转用GAA技术，从台积电手中抢走过不少订单，如高通骁龙888和骁龙8 Gen等，但在3nm GAA工艺上，三星似乎遇到了不少麻烦，至今仍未量产，而
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