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简介Kintex™ UltraScale+™ 器件在 FinFET 节点中提供高性价比,为需要高端功能(包括 33Gb/s 收发器和 100G 连接内核)的应用提供了经济高效的解决方案。该产品系列同时支持数据包处理和 DSP 密集型功能,是

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明佳达电子Mandy 2024-05-17 14:46:32
FPGA应用,XCKU5P-2FFVA676E XCKU5P-L2FFVB676E XCKU5P-3FFVB676E能够驱动 16G / 28G 背板的收发器

简介Kintex® UltraScale+™ FPGA在 FinFET 节点中提供高性价比,为需要高端功能(包括 33Gb/s 收发器和 100G 连接内核)的应用提供了经济高效的解决方案。该中端产品系列同时支持数据包处理和 DSP 密集型

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明佳达电子Mandy 2024-05-18 13:50:37
通过 SmartConnect 技术简化 IP 集成,XCKU15P-1FFVA1760E、XCKU15P-2FFVA1760E现场可编程门阵列规格参考

这些1200 V碳化硅(SiC)MOSFET系列针对高功率应用进行了优化,如UPS、电机控制和驱动、开关模式电源、太阳能和储能系统、电动汽车充电、高压DC/DC转换器等。该系列基于第三代技术,多种多样的导通电阻和封装选项使设计人员能够根据应

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明佳达电子Mandy 2024-06-20 13:35:30
(半导体)基于第三代技术、C3M0075120K1、C3M0032120J2、C3M0032120K1 1200 V碳化硅 (SiC) MOSFET

说明UnitedSiC UF3C高性能SiC FET是共源共栅碳化硅(SiC)产品,将高性能G3 SiC JFET与共源共栅优化Si MOSFET共同封装,以生产标准栅极驱动SiC器件。该系列具有超低栅极电荷,非常适合开关感性负载和需要标准

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明佳达电子Mandy 2024-06-24 16:22:11
新品,分立式晶体管 UF3C065080B3 UF3C065080K3S UF3C065080T3S 650 V, 80 mohm SiC FET

1、MPC22161-120——120A、双相非隔离式高效率降压电源模块MPC22161-120 是一款双相非隔离式高效率降压电源模块。集成驱动 MOSFET 和电感提供高效率和小尺寸,使得该模块非常适合服务器应用。MPC22161-120

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明佳达电子Mandy 2024-06-28 14:28:25
非常适合服务器应用的 MPC22161-120、MPC22163-130、MPC22164-130双相、非隔离式、高效率降压电源模块

在电子设计中,输出模式的选择对电子系统的整体性能有重要影响,而开漏输出作为其中一种常见的输出模式,在多种场景中发挥重要作用。本文将介绍开漏输出,希望对小伙伴们有所帮助。1、开漏输出是什么?开漏输出是一种基于MOSFET(金属氧化物半导体场效

电子设计中的开漏输出是什么?有什么用?

MOS管全称为金属氧化物半导体场效应管(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor),也被称为MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect

走进半导体器件,了解MOS管

上期文章《PMOS开关电路常见的问题分析》有说到SOA曲线,可能有些兄弟不是很了解这个是个啥?那这期我们就来系统的详细介绍下,以下是这期文章的目录:① 什么是MOS管的SOA区?② SOA曲线的几条限制线的意思?1、什么是MOS管的SOA区,有什么用?SOA区指的是MOSFET的安全工作区,其英文单

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MOS管的安全工作区SOA详解(一)限制线介绍

在电子系统设计中,MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)的选型很重要,将直接影响系统的性能、效率和可靠性,本文将简洁介绍MOSFET器件选型的三大方法,希望对小伙伴们有所帮助。1、选择P沟道还是N沟道N沟道MOSFET:适用于低压侧开

MOSFET器件如何选型?请看看这些方法!

MOS管在电源应用中作为开关用时将会导致一些不可避免的损耗,这些损耗可以分为两类: 一类为器件栅极驱动损耗。前面我们说过:MOSFET的导通和截止过程包括电容CISS的充电和放电。当电容上的电压发生变化时,一定量的电荷就会发生转移;需要一定量的电荷使栅极电压在0和VDRV之间变化,变化

MOS功率损耗