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本文总结在开关电源设计中，EMI 问题往往与热环路布局直接相关。尤其是在反激式电源、USB-C 适配器以及 AC-DC 电源模块中，热环路面积会直接影响辐射发射和传导发射水平。本文将介绍热环路的物理本质、EMI 产生机理，以及如何利用 Allegro X 规则管理器（Constraint Manag
电感换大封装，EMI为何反而变差？电感体积变大可能降低直流损耗，却也可能改变漏磁、寄生电容和高频回路，EMI并不会自动更好 DCDC样机为了降温，把电感换成更大封装、更高饱和电流的型号。温升确实下来了，EMI频谱却多出几根尖峰。有人继续加输
高速信号换层，回流过孔为何要贴着打？信号过孔只负责把信号换到另一层，回流电流能否就近跨层，决定了这次换层是不是完整 高速信号换层时，旁边少打一颗接地过孔，原理图上不会有任何变化，板子也可能正常启动。可到了更快边沿、更长链路或EMI测试，阻抗
凡亿电路方案开发EMC设计：从原理图阶段解决电磁兼容凡亿电路EMC设计与仿真分析工作场景电磁兼容是电子产品上市前必须通过的重要认证项目，包括EMI辐射发射、传导发射、EMS抗扰度等多项测试。很多产品在研发阶段没有充分考虑EMC设计，等到样机
SW铜皮越铺越大，EMI为何反而更差？高dv/dt铜皮既是电气节点，也是向周边耦合的电场源 Buck开关节点铜皮加大后，导通电阻和局部温升可能改善；但面积越大，它与地、散热器、线缆和周边走线形成的寄生电容通常越大，位移电流与共模辐射也会被放
MOSFET开得更快，VDS尖峰为何更高？开关更快不等于更安全，栅极回路需要的是受控速度 栅极电阻越小，驱动器给栅极充放电越快，开关损耗可能下降；与此同时，峰值驱动电流、VDS过冲、栅极振铃、米勒误导通和EMI也可能变得更严重。选值必须用波
峰值预扫已经过线，准峰值为什么仍可能合格？EMI接收机用峰值检波快速扫一遍，某个频点压过了准峰值限值线，并不等于正式准峰值结果已经超标。峰值检波像一个快速、保守的筛查员；准峰值还会按规定时间常数对脉冲重复率加权。稀疏的高脉冲可以有很高峰值，
💡 电路名称三极管共射放大电路（Common-EMItter Amplifier，2N2222 4 电阻分压偏置）昨天我们用 NPN 三极管（2N2222）当"电子开关"——基极给 5V → 集电极直接拉到地，LED 亮。今天我们让三极管工作在线性放大区，给它一个小信号正弦波（10mV），输出
接地设计是解决电磁兼容问题的重要手段，但通常是产品工程师很难掌握与理解。如果在产品PCB设计时对接地进行重视，那么就会大大减少产品EMI以及EMS问题的概率。 本次主要从地的定义入手，讲解地设计的“初心“，从原理上讲解PCB地设计如何对电磁兼容的影响，并根据理论指导PCB如何进行地的设计，分析指出地阻抗以及地回路面积对产品电磁兼容影响，并结合产品说明产品如何进行PCB接地设计，如何PCB分地设计，并举例说明常见接地设计规则，指导产品工程师从接地本质上进行产品PCB 电磁兼容接地设计。
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