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多处存在开路报错焊盘应从短边出线,避免从长边和四角出线ddr和芯片放置太近,导致没有足够空间绕线,绕线很乱走线不能从同层器件中间穿过时钟线等长错误以上评审报告来源于凡亿教育90天高速PCB特训班作业评审如需了解PCB特训班课程可以访问链接或

90天全能特训班22期-David AD - 第5次作业 -一片SDRAM模块

等长存在报错,电阻另一端需要看成一根进行等长2.此处一层连通无需打孔3.滤波电容尽量靠近管脚放置4.过孔需要盖油处理以上评审报告来源于凡亿教育90天高速PCB特训班作业评审如需了解PCB特训班课程可以访问链接或扫码联系助教:https://

90天全能特训班18期-AD-李阳-1SDRAM

2022年或许是DRAM内存多灾多难的一年,不仅迎来价格暴跌现象,还迎来了库存积压严重现象。毫不夸张地说,今年是DRAM内存大降价的一年。据市场调研机构数据报告显示,受到用户需求下滑影响,DRAM的价格在近两个月内严重下滑,下滑幅度将近20

DRAM内存现货价格暴跌,库存积压严重

1.配置电容要均匀的分配到电源管脚靠近放置。2.多处单端网络扇孔没有删除导致天线报错,无网络焊盘打孔导致短路报错3.bga扇孔存在短路4.电源走线没加粗。5.地网络没打孔导致开路报错,地网络应就近打孔。6.信号线布线造成闭合回路。7.等长注

90天全能特训班18期-谭晴昇———两片SDRAM模块设计作业-作业评审

1.芯片下方电容要均匀分布。2.数据线等长组分组错误,两组线分别缺少LDOM、HDQM。3.数据线等长错误,应该控制误差50mil4.地址线等长分组错误,缺少部分网络5.电源输入线宽不一致,电容输入输出都需要加宽。6.多存在多处尖岬铜皮。7

90天全能特训班19期Mr.韩llegro两片SDRAM 菊花链式模块作业评审

近日,日本媒体报道,声称华为将在2022年超大规模集成电路研讨会(VLSI Symposium)期间发布新型3D DRAM技术,并进行各种有关内存的演示,该技术是与中科院微电子研究所合作开发的。据媒体内容,华为将要发布的3D DRAM技术,

华为与中科院联手研发3D DRAM芯片,有望突破禁锢

在嵌入式开发中,存储器是至关重要的组成部分,众所周知,嵌入式系统具有特定的功能和限制,因此工程师要合理选择存储放来,来优化性能性能和可靠性,那么身为电子人的你,知道有哪些存储方式吗?按照数据的类型,存储方式可分为非易失性存储器和易失性存储器

嵌入式开发:有哪些存储方式?

线宽不一致,导致阻抗不连续走线需要保持3w间距规则地址线分组错误,缺少信号时钟线等长错误电源走线多处没有加粗数据线等长误差控制100mil范围内以上评审报告来源于凡亿教育90天高速PCB特训班作业评审如需了解PCB特训班课程可以访问链接或扫

90天全能特训班20期-ad-邹旭 SDRAM模块

1.电源滤波电容尽量靠近管脚摆放均匀放置,尽量一个电源焊盘放一个电容2.器件摆放干涉3.地址线分组错误,缺少部分信号4.信号线布线造成闭合回路。5.顶层低层没有铺铜,导致地焊盘没有连接过孔。6.时钟没有和地址线等长以上评审报告来源于凡亿教育

90天全能特训班19期 张冰+第六次作业+1片SDRAM模块的PCB设计