华为与中科院联手研发3D DRAM芯片，有望突破禁锢

近日，日本媒体报道，声称华为将在2022年超大规模集成电路研讨会（VLSI Symposium）期间发布新型3D DRAM技术，并进行各种有关内存的演示，该技术是与中科院微电子研究所合作开发的。
据媒体内容，华为将要发布的3D DRAM技术，是基于铟镓锌氧 IGZO-FET（由In、Ga、Zn、O组成的透明氧化物）材料的CAA（Channel-All-Around）构型晶体管3D DRAM技术，有望克服传统的1T1C-DRAM的微缩挑战，相比其他3D DRAM芯片，该技术具有出色的温度稳定性和可靠性。

据日本媒体报道，除了华为之外，IBM、三星、英特尔、Meta、斯坦福大小、乔治亚理工学员都将提出存储芯片领域的新突破。
据了解，华为之前已在存储领域进行深度研究，此前就已表示将针对数据存储领域关键根技术进行突破。
3D DRAM是近年来新增的芯片概念，是指一种将存储单元堆叠至逻辑单元上方的新型存储方式，可以满足芯片单位面积上更高的容量的需求。
据了解，华为之前已发过与存储器相关的文字《华为麒麟带你一图看懂存储器》中，文中写到随着芯片尺寸的萎缩，DRAM工艺萎缩将越来越困难，“摩尔定律”即将走到极限，因此各大厂商在研究3D DRAM作为解决方案来延续DRAM的使用。
除此之外，中科院微电子研究所也联合华为海思在IEDM 2021上提出新型垂直环形沟道器件结构（CAA），该新型结构明显减小电子器件的面积，还支持多层堆叠，也能通过上下两个CAA器件直接相连，每个存储单元的尺寸可减小至4F2，使IGZO-DRAM拥有了更好的密度优势，该研究成果将推动IGZO晶体管在高密度DRAM领域的应用。