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在现代电子设备中，CMOS电路靠着低功耗、高集成度等特点广泛应用，但是这并不意味着CMOS电路是完美的，高输入阻抗特性使得CMOS电路对静电、干扰等异常敏感，所以工程师在使用/设计CMOS电路时，一定要注意这些地方。1、未用管脚处理所有未使
Cool-MOS（超级结MOSFET）以其快速开关特性和低功耗在高频开关电源等领域得到广泛应用。然而，在实际应用中，Cool-MOS系统也面临着一系列问题。本文将直接列出Cool-MOS系统应用中的常见问题，以便工程师快速识别和解决。一、E
Cool-MOS（超级结MOSFET）在高频开关电源等领域展现出其独特的优势，但其抗浪涌及耐压能力较差的问题也不容忽视。下面分析为什么CMOS系统的抗浪涌及耐压能力差的原因。1、SJ-MOS结构特性内部结构设计：SJ-MOS（超级结MOSF
CMOS 图像传感器简介
图像传感器是数字成像系统的主要构建块之一，对整个系统性能有很大影响。两种主要类型的图像传感器是电荷耦合器件 (CCD) 和 CMOS 成像器。在本文中，我们将了解 CMOS 图像传感器的基础知识。查看我们关于电荷耦合器件 (CCD) 图像传感器的系列。您可以从 CCD 的结构和功能开始。1 CMOS
CMOS谐振振荡器简介
引言谐振振荡器是模拟电子技术中少数仍然保持重要地位的领域之一。这些线路能够从恒定电源产生时变周期信号。虽然产生基本振荡相对简单，但在现代设计约束下实现高质量振荡具有显著挑战性。这些约束包括低电源电压、有限功耗、宽频率调谐范围以及与数字CMOS工艺的兼容性[1]。图1：损耗LC谐振器及其等效并联模型，
沟道有效迁移率（µeff）是CMOS器件性能的关键参数。传统测量方法在高k介质、漏电介质与高速应用中易出现误差。本文介绍了UFSP（Ultra-Fast Single Pulse）技术如何准确提取迁移率，克服这些挑战。传统移动性测量及其挑战我们以栅极长度为L、宽度为W的p沟道器件为例。当沟道电荷在线
今天听从一个模拟集成电路大佬的建议，要把模拟集成电路的理论知识吃透，放大器是基础要研究明白，在此之前不需要仿真做模块啥的，要把基础先打好！。模拟设计面临需要有趣和困难的问题，比如：晶体管的缺陷，电源电压的降低，功耗，电路的复杂性，PVT的变化等等这些在设计前期就了解这些方面对模拟集成电路设计的限制会
也许有人发现了，单片机的电压标准不太相同，要么是3.3V电压，有的却是5V，为什么不是同一个标准？这是历史遗留问题，还是技术演进的必然？今天将针对这个问题进行探讨。1、TTL与CMOS的“冷战”余波5V的崛起：早期数字电路以TTL（晶体管-
ADuM362N是一款基于Analog Devices，股份有限公司iCoupler技术的6通道数字隔离器。这些隔离元件结合了高速互补金属氧化物半导体（CMOS）和背对背单片空芯变压器技术，提供了出色的性能特性，并在5 Mbps下满足CIS
今天看了一下[1]的ch8 CMOS Processing Technology，了解到了一点新东西。下图中，LD是side diffusion的长度。离子注入会损害硅晶格，因此，随后晶圆会被加热到约1000℃，持续15到30分钟，从而修复晶格，这一过程，称为“annealing（翻译过来为退火）”
