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本文概述
H桥是直流电机正反转和调速的基本拓扑，也是电机驱动面试的核心题。面试官想听的不是“四个管子连成H”，而是你懂不懂H桥的工作原理（对角导通控制方向、PWM调速）、关键设计点（死区、续流、防直通）、MOSFET全桥与集成驱动芯片的选择、以及电流检测和保护。本文从“H桥怎么让电机正反转”讲起，讲H桥四个开关的导通组合与PWM调速原理、续流二极管/体二极管的作用、死区时间和防直通、MOSFET选型（耐压、导通电阻、栅极驱动）、以及电流检测与过流保护，强调参数按电机规格和电源现算，不套固定值。
核心要点
H桥：四个开关组成H形，对角导通改变电流方向实现正反转
PWM调速：通过占空比控制平均电压调速，配合方向信号
续流：电机是感性负载，关断时电流要靠续流二极管/体二极管续流
死区：上下管不能同时导通，需死区时间防止直通短路
MOSFET选型：按电机电压电流选耐压耐流、导通电阻、栅极驱动能力
保护：电流检测（采样电阻/霍尔）、过流保护、欠压和过热保护
面试官考察点
考察点拆解
面试官问H桥，重点考察：第一，你懂不懂H桥的工作原理（对角导通改变方向）；第二，你懂不懂PWM调速和续流；第三，你懂不懂死区和防直通，这是H桥最容易出问题的地方；第四，你会不会做MOSFET选型和保护设计。
追问方向：H桥怎么正反转、PWM怎么调速、死区是什么为什么需要、怎么防直通、MOSFET怎么选、怎么测电流。
回答思路
答题主线
建议按“工作原理 → 调速续流 → 死区防直通 → 选型保护”来答，从原理到实战。
先讲原理：四个开关、对角导通。
讲调速续流：PWM占空比、续流路径。
讲死区：防直通、死区时间。
讲选型保护：MOSFET、电流检测。
参考回答
我先讲H桥的原理，再讲关键设计点。
第一，工作原理。H桥由四个开关（MOSFET）组成H形：左边两个、右边两个，电机跨接在中间。控制方式：
正转：左上+右下导通，电流从A流向B；
反转：右上+左下导通，电流从B流向A；
停止/刹车：全部关断（自由停）或同侧上下同时导通（刹车，靠短路电流制动）。
第二，PWM调速与续流。电机是感性负载，通过PWM占空比调节平均电压实现调速（配合方向信号）。开关管关断瞬间，电感电流不能突变，需要续流路径：靠对管的体二极管或外加续流二极管让电流继续流动，否则会产生高压尖峰损坏器件。
第三，死区与防直通。同一桥臂的上下管绝对不能同时导通（否则电源到地直通短路）。因为MOSFET开关有延时，切换时必须加死区时间（先关断一个、延时后再导通另一个），延时量按驱动和器件开关时间定。这是H桥设计的核心。
第四，选型与保护。
MOSFET选型：按电机电压/电流选耐压（留裕量）、耐流、导通电阻（影响发热）、栅极驱动（栅极电荷、驱动电压）和散热；
电流检测：用低侧采样电阻+运放或霍尔电流传感器，用于过流保护；
保护：过流、欠压、过热保护，保护逻辑要快于器件损坏。
实际参数按电机规格（额定电压、堵转电流）和电源现算，不套固定值。
