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在半导体产业链中，封装工艺如同为芯片打造铠甲的锻造过程，将脆弱的硅晶圆转换为能应对现实世界考验的电子元件，是许多电子新人需要重点掌握的基础知识之一。
1、晶圆减薄与切割
采用激光或等离子切割技术，将完成前道工艺的12英寸晶圆精准分割为毫米级芯片单元。背面研磨工艺将晶圆厚度从750μm减至50-100μm，为后续封装创造条件。
2、芯片贴装
在-50℃环境下回温的银胶通过点胶机精准涂布，将芯片固定在引线框架或基板上。该环节需控制银胶厚度公差±2μm，并在175℃氮气环境中固化1小时，确保导热系数达1.5W/(m·K)。
3、电气互联
金线键合工艺使用25μm金线，以超声热压方式实现芯片焊盘与基板的电气连接，键合强度需＞10g。先进封装则采用倒装芯片技术，通过C4焊球阵列实现I/O密度超2000个/cm²的互联。
4、塑封成型
热固性环氧树脂在175℃模具中注塑成型，填充压力控制在5-8MPa，形成机械保护层。该过程需确保模流平衡，避免产生空洞或填充不良缺陷。
5、后固化处理
塑封体在175±5℃环境中经历8小时热处理，消除内应力并提升材料交联密度，使玻璃化转变温度达到150℃以上。
6、电镀强化
引脚表面沉积5μm厚无铅锡层，采用脉冲电镀工艺控制晶须生长。该镀层需通过260℃回流焊测试，接触电阻＜5mΩ。
7、激光打码
皮秒激光器在封装体表面刻印二维码，包含批次号、生产日期等溯源信息，字符深度控制在15-20μm之间。
8、切筋成型
冲压模具将引线框架切割为单个IC单元，并折弯成J型或鸥翼型引脚，平面度误差需＜0.05mm。
9、终极测试
通过ATE测试机进行DC参数测试、功能验证及-55℃至125℃温度循环试验，筛选失效率控制在50ppm以内。
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