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光耦隔离模块电路
还不少钱呢输入高电平触发还是低电平触发可配置PNP型输出高电平=供电电压经过分析电路如下当需要高电平触发时IN1接信号,SS接GNDIN输入高电平时,光耦放光二极管导通,光耦输出拉低PNP型三极管导通,输出OUT拉高至电源但是过流,过压,反接,防雷击浪涌这些我是真没看到另外,有个疑问:这个R5干什么
载流计算对于PCB设计至关重要,它能够帮助设计者精准地确定走线和过孔在特定电流下的温升情况,有效规避因过流引发的发热问题,进而防止电路板损坏或性能下降。通过载流计算,设计者可以根据电流需求合理选择走线宽度和铜箔厚度,在有限的空间内实现最优的
故障描述调试如下图所示的±15V 电压产生电路时发现,过流短路,电流达到 200 多个毫安,正常是40多个毫安。故障原因原理图中钽电容 C8 极性搞反了。解决办法在 PCB 中将钽电容极性调转过来,正极接地,负极接到 -15V 电压上万用表判别极性下面是用万用表测量如上图所示的直插 1uF 钽电容的
谷底电流限流保护
为了滤除电流检测信号前沿尖峰,现在的峰值电流模式控制器都具有前沿消隐时间(Leading Edge Blanking LEB),这个设置会导致二个问题:1、输出短路时,无法提供可靠的过流保护;2、低占空比应用,如19V输入、1V输出,800kHz工作频率,导通时间小于LEB时间,系统无法正确调节,如
在电子电路里,MOS管是常用元件,可它过热烧坏的情况时有发生,这背后往往藏着几个“元凶”。1、过流MOS管有额定电流参数,当实际电流超过这个值,就像水管里水流过大,会发热。若长时间过流,热量不断积累,温度持续上升,最终导致MOS管过热烧坏。
在电源设计领域,输出过流保护是保障系统安全的核心机制。面对恒流限流与打嗝模式两种主流方案,工程师需根据应用场景权衡取舍。本文从技术原理、应用场景、优缺点三个维度展开对比分析。一、恒流限流技术原理:当输出电流超过阈值时,电路通过降低输出电压维
PCB铜箔需要通过40A的电流,看资料要求铜箔宽度要45毫米,但是我只能走20毫米的铜箔走线,可以通过GND过孔来解决通流能力嘛,还是开天窗加焊锡加大过流能力

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