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罗姆推出具有沟槽栅极结构的碳化硅MOSFET器件-通过使用TO-247-4L封装,驱动器和电流源引脚得以分离,从而最大限度地降低了寄生电感分量的影响。
号外、号外、号外, 英飞凌电源与传感系统云端大会 启动啦~ 9月7日-11日, 两岸三地、专家携手, 一场功率 传感的技术盛会正在袭来! 精彩主题抢先看 01 极致功率,引领广泛应用的能效创新 采用英飞凌功率器件实现高性能开关电源设计 零电压开通高效反激拓扑电源设计与方案介绍 两轮摩托车的电气化变革与创新机会 英飞凌的宽带隙功率解决方案:硅、碳化硅、氮化镓 高效能存储及创新电池第二寿命解决方案 在5G网络中边缘计算的发展 02 广博传感
概述英飞凌CoolSiCTM MOSFET 技术通过最大限度地发挥碳化硅强大的物理特性,从而增强了设备性能、稳健性和易用性等独特优势。产品规格1、参数:IMZA120R040M1HXKSA1 (IMZA120R040M1H)FET 类型:N
碳化硅三极管(Silicon Carbide Transistor,简称SiC三极管)是一种用碳化硅(SiC)作为半导体材料的三极管。它具有优异的高温、高电压和高频特性,可以替代传统的硅材料制成的三极管,在高温、高电压、高频等特殊环境下发挥
1、SCTH100N65G2-7AGSICFET N-CH 650V 95A H2PAK-7这款碳化硅功率MOSFET器件采用先进创新的第二代SiC MOSFET技术开发而成。该器件具有非常低的单位面积导通电阻和非常好的开关性能。开关损耗的
随着新能源市场的爆发,电动汽车,光伏、储能等下游应用驱动下,碳化硅功率器件迎来了新一轮增长期。特别是电动汽车上SiCMOSFET的大规模应用后,在近几年可以看到,国内外各大厂商都密集地加入到SiC的行列中,推出相关产品。国内规模比较大的有华
NXH600B100H4Q2是一款三通道对称升压模块。每个通道包含两个1000V 200A IGBT和两个1200V 60A碳化硅二极管和一个负温度系数热敏电阻(NTC)。特点• 模块带有低热阻抗基板• 可选焊接引脚或press-fit引脚
产品概述1200V碳化硅汽车Mosfet系列已开发用于当前和未来混合动力和电动汽车的车载充电器和DC-DC应用。基于最先进的英飞凌SiC沟槽技术结合. xt互连技术,碳化硅mosfet专为满足汽车行业在可靠性、质量和性能方面的高要求而设计。
产品概述IMW120R007M1HXKSA1 CoolSiC 1200V SiC沟槽式MOSFET将碳化硅的强大物理特性与提高器件性能、可靠性和易用性的独特特性结合在一起。CoolSiC 1200V SiC沟槽式MOSFET基于先进的沟槽半
产品概述 CoolSiCTM 碳化硅MOSFET基于先进的沟槽工艺,该工艺经过优化兼具性能与可靠性。与IGBT和MOSFET等传统的硅(Si)基器件相比,SiC MOSFET具有诸多优势,例如1200 V开关器件中最低的栅极电荷和器件电容、