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引言在当今人工智能快速发展和数据中心业务不断扩张的背景下，高容量数据传输需求变得日益重要。硅基光电子(SiPh)技术作为光电子集成芯片的有效解决方案，为现代AI系统提供了可扩展的高速数据传输平台。本文探讨了如何利用先进的神经网络技术提升锗硅电吸收调制器(GeSi-EAM)的性能，以实现高速数据传输率
在氮化镓和碳化硅之后，氧化镓（Ga₂O₃）正以超高击穿电压与低成本潜力，推动超宽禁带功率器件进入大规模落地阶段。但在光伏逆变、电动车快充、高压电源模块等真实工作场景中，高频大电流动态开关才是氧化镓器件日常面临的真实挑战。如何评估器件在这些动态应力下的可靠性，成为影响产品量产落地与客户信赖度的关键。传
引言垂直耦合器在集成光电子技术中扮演着重要角色，能够实现光纤与片上波导之间的高效光传输。传统光栅耦合器设计通常存在占用面积大、效率有限等问题。本文探讨了创新方法，利用拓扑优化在硅基绝缘体(SOI)平台上创建紧凑、高性能的垂直耦合器[1]。拓扑优化简介拓扑优化是强大的反向设计技术，通过迭代修改材料的空
MEMS陀螺仪已成为现代导航和运动感知应用中的核心组件。本文探讨双质量线性振动硅基MEMS陀螺仪的结构、驱动技术和噪声特性[1]。1电学模型与接口线路高性能MEMS陀螺仪的基础在于电学建模和接口设计。等效电学模型包括陀螺仪左质量块和接口线路，其中包含驱动电容(CdL , CdL−)、驱动检测电容(C
引言MEMS陀螺仪在自主导航和物联网设备中发挥着不可或缺的作用。随着应用领域的扩展，环境温度波动和应力效应对MEMS陀螺仪长期稳定性产生显著影响。因此，提高比例因子(SF)的温度稳定性已经成为研究的重点。温度对MEMS陀螺仪的影响可以通过两个基本机制来理解。首先是硅的热机械特性随温度变化，特别是杨氏
引言当今电源设计人员面临着越来越大的压力，需要实现90%、甚至更高的功率转换效率。推动这种发展趋势的因素，包括延长便携式电子器件中的电池续航时间、物联网以及对功耗更低的“更加绿色的”产品的需求。许多设计正在使用GaN或SiC开关器件代替硅FETs和IGBTs。一如既往，产品上市时间压力正不断推动着测
当摩尔定律放缓，3D芯片堆叠成为延续性能跃升的关键路径。这项技术如何实现“芯片叠罗汉”？答案藏在硅通孔、微凸点与热管理创新中。一、核心工艺：TSV技术穿透硅层硅通孔（TSV）刻蚀深反应离子刻蚀（DRIE）在硅片上打出微米级孔洞，纵横比可达1
在半导体产业中，晶圆尺寸和纳米工艺技术是两个非常重要的概念，直接关系到芯片的生产效率、成本、性能以及未来技术的发展方向。那么，晶圆尺寸和纳米工艺之间到底有没有关系？什么是晶圆尺寸？晶圆（Wafer）是制造半导体芯片的基础载体，通常由硅单晶材
智能手机电池包PCM通常使用功率MOSFET作充放电管理，功率MOSFET的工作的温度是非常重要的一个性能指明标，AOCR38232和器件2都是针对这个应用的二个功率MOSFET，其中，AOCR38232顶部材料为硅，器件2顶部材料为金属，如图1所示，相关参数如表1所示。表1：功率MOSFET参数
传统上，晶硅一直是电子元件的核心材料，但近年来，石墨烯以其独特的性质被视为未来电子技术的潜在革命者。那么，为什么石墨烯比晶硅更适合用来制造电子元件呢？一、石墨烯的基本特性石墨烯是一种由单层碳原子以六边形蜂窝结构构成的二维材料。其主要特性包括
