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引言生成对抗网络(GANs)通过从有限数据集生成高度真实的合成数据，推动了人工智能的发展。虽然这些网络在图像合成和医学成像等领域表现出色，但在传统电子硬件上实现时面临显著的计算挑战。本文探讨PhotoGAN，这是专门为GAN模型设计的硅基光电子加速器，在性能和能效方面都有显著提升[1]。图1：GAN
简介近年来，数据中心和高性能计算机需要高速、低功耗的光互连来支持不断提高的数据传输速率。为提高带宽效率，数据传输速率超过 200G 的以太网采用了 PAM4 信号。然而，传统的 PAM4 发射器依赖于数字信号处理器 （DSP）、数模转换器 （DAC） 和线性驱动器等高功耗组件，每个组件的功耗都高达数
锗电吸收光调制器的进展
引言数据流量呈指数级增长，视频传输、云计算和人工智能等应用推动光通信网络需求激增。根据最新预测，到2029年全球移动数据流量将增长三倍，达到每月403艾字节。这种数据传输量的增长带来了能源效率和带宽能力方面的重大挑战。现代数据中心作为数字基础设施的核心，耗电量巨大 - 单个大型数据中心的用电量相当于
引言随着半导体技术的飞速发展，其在诸多行业中发挥了重要作用。然而，传统电子技术的局限性促使研究转向以硅基光电子为代表的光电子技术。硅基光电子具备高速、大带宽和高能效的特性，广泛应用于高速通信、光量子技术和传感领域。在这些应用中，光电子滤波器是实现波长选择和提升信噪比的核心器件。本文介绍基于级联Mac
开关电源纹波由拓扑结构及功率器件开关动作产生，直接影响精密电路的稳定性，重则导致电路无法达到最佳工作状态，因此许多人根据该问题提出了不少解决方案，本文将选出五种效率高的方案，希望对小伙伴们有所帮助。1、储能器件参数优化电感选型：铁硅铝磁环电
最近遇到一个问题--大面积银烧结(Large area sintering，LAS)可行性，本着不懂就学的理念，今天我们就来聊一聊这个话题。前言首先，为了发挥碳化硅的优异性能，传统硅基的模块封装在不断地发展，新的封装材料和技术在不断地被挖掘。其中，新的封装形式得属车规的花样最多，但都涉及到一个技术-
半导体分立器件是指由半导体材料制成的，具有单一功能或特定功能的电子元器件。其基础单元是PN结，常见的半导体分立器件包括二极管、三极管、场效应管、晶闸管（可控硅）、IGBT、光耦（光电耦合器）等。这些器件的主要制造材料包括硅、锗、碳等半导体元
模拟电子技术是电子工程领域的基础，涵盖了众多核心概念和原理，本文将体力额模电知识的精华，去繁就简，为小伙伴们提供一份简洁而全面的学习指南。硅二极管门槛电压约为0.5V，导通后正向压降约为0.7V。锗二极管门槛电压约为0.1V，导通后正向压降
半控型器件———晶闸管
半控型器件——晶闸管晶闸管(Thyristor)是晶体闸流管的简称，又称作可控硅整流器(Silicon Controlled Rectifier——SCR)，以前被简称为可控硅。由于其能承受的电压和电流容量仍然是目前电力电子器件中最高的，而且工作可靠，因此在大容量的应用场合仍然具有比较重要的地位。1
SiC | 器件特点
今天我们来聊聊碳化硅器件的特点~01功率器件要求功率半导体器件作为功率变换系统的核心器件，目前应用最多的仍旧是IGBT，在很多时候还需要搭配合适的反向并联二极管。任何情况下，功率器件都是在"导通"和"截止"两个状态之间切换，类似于集成电路中的逻辑器件，通过切换来达到电力转换的需求，切换频率一般在1k
