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什么是模拟IC设计？
什么是模拟IC设计？在本文中，我们将高层次地了解模拟集成电路的设计过程。1 模拟IC VS数字IC首先模拟IC设计与数字IC设计上有很大的不同。数字IC的设计大多是在抽象的层次上完成的，这些层次的系统和过程决定了门/晶体管级的布局和走线的细节，而模拟IC的设计通常涉及到每个电路更多的个性化焦点，甚至
FinFET技术自2011年商业化以来，已经统治半导体行业十余年，但随着工艺节点推进至3nm以下，其性能增长濒临物理极限，因此，GAAFET技术问世，逐渐成为下一代半导体主流。FinFET全称Fin Field-Effect Transis
加速电容一般应用于高速场合，在相同容值的情况下优先使用高频特性好的瓷片电容，如果驱动电路中要求加速电容承受负压则必须选择无极性电容如瓷片电容。下文主要从电容的大小来分析阻容负载驱动电路和晶体管驱动电路中加速电容的选型。2 加速电容选型2.1 阻容负载驱动电路加速电容大小选择当阶跃开始瞬间t=0时输出
GAAFET自问世以来，备受行业关注，人们认为它可以打破FinFET的物理极限，有益于推进3nm以下的工艺节点，那么它凭什么？1、GAAFET技术是什么？全称：Gate-All-Around Field-Effect Transistor（
什么是PLL？
什么是PLL？锁相环 (PLL) 是一种反馈电路，旨在允许一个电路板将其板上时钟相位与外部时序信号同步。 PLL 电路的工作原理是将外部信号的相位与压控晶体振荡器 (VCXO) 产生的时钟信号的相位进行比较。然后，电路调整振荡器时钟信号的相位以匹配参考信号的相位。因此，原始参考信号和新信号彼此精确地
中介层和基板正经历着从单纯的中间媒介到工程化平台的深刻转变，在最先进的计算系统中，它们承担着电源分配、热管理、高密度互连以及信号完整性等重要功能。这一转变是由人工智能、高性能计算(HPC)和下一代通信技术所推动的，其中对异构集成的需求正不断挑战着封装技术的极限。尽管晶体管尺寸已缩小到个位数纳米级别，
温补晶振（TCXO）作为温度补偿晶体振荡器，通过内置的温度补偿网络，有效削减了由周围温度变化引起的振荡频率变化，保证了振荡器的频率稳定性。下面将重点介绍温补晶振的补偿步骤及原理。1、补偿步骤①准备测试环境设置测试温度点，确保温度控制稳定。准
引言随着半导体产业的发展，互补场效应晶体管（CFET）技术在推进未来逻辑技术发展方面展现出显著优势。本文将介绍栅极间距达到48纳米的单片CFET反相器的首次实现，该器件展现出高达1.2伏特的优异电压传输特性[1]。图1展示了从基本反相器电路原理图到先进CFET架构的演进过程，显示了从传统互补金属氧化
在电子设计中，我们不会拿任何变化的参数冒险，并希望能对设计的失败概率进行独立的分析。典型的PCB设计包含数百个元器件，因此假定生产出来的每块PCB板中数值恒定则是异想天开的。事实上，在生产电容器、电阻器、电感器和晶体管等电子元器件时，其数值都有一个容差率。这意味着，100欧姆的电阻器实测时可能是95
开关电源开关管
开关管作为开关电源的核心器件，我们常常将其比喻成我们的心脏，其工作状态直接决定电源的效率、可靠性与稳定性。我们目前常见的开关管有半导体场效应晶体管（MOSFET）和绝缘栅双极型晶体管（IGBT），MOS管比较常用于低 - 中功率场景，IGBT则多比较常用于高电压、大功率的工业领域。 开关
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