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要比喻的话，三极管像绿皮车，MOS管像高铁。MOS管即场效应管（MOSFET），属于压控型，是一种应用非常广泛的功率型开关元件，在开关电源、逆变器、直流电机驱动器等设备中很常见，是电力电子的核心元件。MOS管有N沟道和P沟道之分，N沟道相当于NPN的三极管；P沟道相当于PNP的三极管。实际设计及应用
1、SCTH100N65G2-7AGSICFET N-CH 650V 95A H2PAK-7这款碳化硅功率MOSFET器件采用先进创新的第二代SiC MOSFET技术开发而成。该器件具有非常低的单位面积导通电阻和非常好的开关性能。开关损耗的
开关二极管是一种用于控制电流流动的电子元件。它具有快速的开关速度和较小的开关损耗，能够在高频率下工作，广泛应用于电源、通信、计算机和各种电子设备中。01开关二极管基本结构开关二极管由两个半导体材料构成，一个是P型半导体，另一个是N型半导体。
电源模块在工作过程中可能会受到多种因素的影响而导致损耗，以下是一些可能造成电源模块损耗的原因：导通电阻损耗：电源模块内部的导通电阻会导致电能转化为热能，从而产生损耗。开关管损耗：开关电源模块中的开关管在开关过程中有一定的开关损耗，由于开关频
开关电源使用过程中有开关损耗，若其开关损耗过大，容易影响整体效率。为了提升电源性能，工程师需要在电源设计合理降低MOSFET和二极管的开关损耗，如何做到？1、选择低导通电阻RDS（ON）的MOSFET具体选择：优先选用具有低RDS(ON)值
IGBT开通过程分析
IGBT开通过程的分析IGBT作为具有开关速度快，导通损耗低的电压控制型开关器件被广泛应用于高压大容量变频器和直流输电等领域。现在IGBT的使用比较关注的是较低的导通压降以及低的开关损耗。作为开关器件，研究它的开通和关断过程当然是必不可少的，今天我们就来说说IGBT的开通过程。01前言一开始我们简单
上期文章“MOS管损耗理论计算公式推导及LTspice仿真验证”我们理论计算了MOS管的开关损耗。这期来说明一个问题：为什么我们很多时候要求MOS管快速关断，而没有要求MOS管快速开通？下面是常见的MOS管的驱动电路MOS管快关的原理还是先简单介绍下快关的原理：我们知道，MOS管开通和关断的过程，就
1、D类放大器的热损耗分析D类放大器虽然效率高达85-95%，但剩余5-15%的能量仍会转化为热量，主要来自：MOSFET开关损耗（占60%以上）导通损耗：RDS(on) × I2开关损耗：(trise + tfall) × fsw × V
大家好，我是王工。今天给大家分享一份LLC谐振转换器的设计指南，来自仙童半导体（Fairchild）的经典文档。如果你在搞电源设计，尤其是高效率、高功率密度的电源，LLC谐振拓扑绝对是绕不开的！为啥？因为它能实现零电压开关（ZVS），大幅降低开关损耗，效率轻松做到90%以上，特别适合大功率适配器、服
摘要：本文论述了功率MOSFET管导通电阻的正温度系数和负温度系数的双重特性以及相对应的VGS的转折电压，功率MOSFET管在开通和关断时要跨越这两个区域的工作过程。说明了负载开关电路通过延长米勒平台的时间来限制输入浪涌电流的工作特点，分析了由于米勒平台工作于负温度系数区域，产生的开关损耗导致局部热
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