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自从美国商务部发布了主要针对DRAM芯片和NAND闪存芯片的中国技术出口限制,该限制内容为芯片制造商在采购生产设备时,若涉及到美国供应商,将受到严格审查,涉及范围有18nm或以下的DRAM芯片、128层或以上的NAND闪存芯片、14纳米或以

国产存储芯片如何在重压之下突围?

MRAM,即磁阻式随机访问存储器的简称,兼备SRAM的高速读写性能与闪存存储器的非易失性。STT-MRAM是通过自旋电流实现信息写入的一种新型MARM,属于MRAM的二代产品,解决了MRAM写入信息存在的问题。STT-MRAM存储单元的核心仍然是一个MTJ(磁性隧道结),由两层不同厚度的铁磁层及一层

嵌入式存储的下一步:STT-MRAM

存储器分为两大类:RAM和ROM,RAM就不讲了,主要讨论ROM。

EEPROM和FLASH,NAND FLASH和NOR FLASH有什么区别?

在单片机世界中,寄存器很重要,它们不仅是数据存储处理的关键部件,还是单片机执行各种操作的核心所在,按照类型可分为程序存储器、数据存储器及特殊功能寄存器。1、程序存储器程序存储器,顾名思义是用来存放单片机执行程序的地方,主要存储由机器代码构成

探索单片机,了解三大寄存器

开发板是用来进行嵌入式系统开发的电路板,包括中央处理器、存储器、输入设备、输出设备、数据通路/总线和外部资源接口等一系列硬件组件。说到开发板,就不得不提性价比之王MCU——ESP 32开发板。一.功能强大自带wifi 蓝牙是最大亮点!一起来看看ESP32的规格,就知道它强在哪里了。● 内置WiFi和

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吊打stm32 !在开发者眼中ESP32到底有多强?

随着信息技术和微电子技术的高速发展,我们不可避免地进入了大数据时代,数据生产开始呈现爆炸式增长,这也愈发考验计算机系统的数据处理能力,但随着摩尔定律的极限,计算机系统的数据处理能力也将达到瓶颈期,传统的冯·诺依曼计算架构已成为计算机系统性能

​新突破!中国成功研制出最小尺寸相变存储单元

一、课程详情本次4 层 PADS DSP 芯片主控设计课程是一个难度适中的基于 DSP 芯片为主芯片的 4 层高速 PCB 设计项目,项目中涉及了 DSP、FPGA 芯片,使用了 SDRAM、FLASH、SRAM 等高速存储器模块。

4 层 PADS DSP 芯片主控设计教程

近日,三星宣布公司已经成功运行了HBM-PIM芯片的AMD GPU加速器MI-100,并展示了其性能。三星称,与其他没有HBM-PIM芯片的GPU加速器相比,HBM-PIM芯片将AMD GPU加速卡的性能提高了一倍,能耗平均降低了约50%。

三星推出面向人工智能的存储器技术

概述:MCP48CMB28是一款八通道、12位、缓冲电压输出数模转换器(DAC),内置MTP存储器和SPI兼容型串行接口。该器件提供四种不同的基准电压选项:器件VDD、外部VREF(缓冲或无缓冲)和内部带隙。它提供1 LSB积分非线性(IN

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明佳达电子Mandy 2023-11-14 16:21:14
内置MTP存储器和SPI串行接口MCP48CMB28T-E/ML、MCP48CMB28T-20E/ST数模转换器(DAC)