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共模电感阻抗很高,高频噪声却从绕组间跨过去共模电感的标称电感量很大,低频阻抗也符合预期,可到更高频段,噪声却像没经过磁芯一样出现在后级。漏过去的路径常常不在磁路里,而在绕组之间。每一匝导线、输入与输出端、上下层绕组之间都形成小电容。频率升高

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隔离度测到100dB,先确认是不是仪器底噪VNA屏幕上出现-100dB,不等于被测件真的有100dB隔离。信号小到一定程度后,接收机看到的可能已经不是穿过器件的能量,而是自身噪声、端口泄漏、线缆耦合和夹具串扰。曲线趴在底部并且毛糙,看似“隔

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凡亿射频微波LNA增益明明正常,噪声系数为什么还是变差?真正该查的往往在输入端封面素材:Analog Devices LNA 评估板实物LNA调试里有一种很容易误判的现象:VNA测出来,S21基本正常。增益和Datasheet差不了多少,偏

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有没有大神有例子啊?实在搞不明白啊主要就是将一些电路,如低噪声放大器、主放大器等的输入输出端口(这些输入输出的阻抗都是已知的)匹配到50欧姆的示波器接口上还有就是如何进行仿真调整啊?

如果就是追求极致噪声的话,驻波就一定会特别差是吗?

最小噪声系数已经匹配到了50欧姆 但是驻波非常差 有什么办法改善吗

问:对于金属外壳的DUT,在测试CEI和CEV的时候,接地和不接地这两种case为什么结果有大差异,可以画图详细解释一下吗?答:思考清楚附图的问题,你的疑惑估计就解决了。CEI和CEV本质都是测试线束上的噪声电流值,接地与不接地改变的就是这

跟随着IC集成电路的发展,芯片的频率越来越高,噪声的容忍度越来越小,这就对IC设计中的封装设计提出了更好的要求,普遍的引起了越来越多工程师的重视。为了能够对IC芯片设计中存在的寄生参数准确的分析和数据量化及参数优化,我们特意开设了此次的直播课程,这次的课程目的就是和大家探讨在IC芯片封装设计中存在的寄生参数情况,比如电阻,电容,电感,电导的传输线等效模型等,及如何提取寄生模型优化回流路径中的电感,电阻,和减少自感和互感的参数等。

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凡亿教育小亿 2019-12-26 16:01:25
李增带你学IC封装寄生参数的提取办法与寄生参数解读及优化