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LLC明明设计成ZVS，为什么实机还是硬开通？一台LLC样机，原理图参数按计算书设计，控制器也工作在“应该有ZVS”的频率区间。满载效率正常，但轻载一升温，半桥mosFET的VDS尖峰突然变高；继续缩短死区，波形更糟；换成更高耐压mos以后
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Buck满载效率突然掉，别先怪mos空载和半载效率都正常，一拉到满载，效率曲线突然往下掉，电感烫得比mos还快。很多人第一反应是换更低RDS(on)的管子。但在Buck里，满载损耗是“多人合伙”：mos导通、开关交叠、驱动、死区、输入输出电
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问答
面对一堆分立元件如何布局
想请教一下，电路中是一些分立元件，有三极管，mos管，电容， 电阻，稳压二极管。是应该按照信号的流向摆放元件？还是把同类型的元件先摆放在一起（比如有3个mos管，先把他们摆放在一起？），然后再拉线么？。因为发现如果按照信号的流向摆放元件，然后感觉元件的摆放就杂乱无章。 但是如果把同类型的元件摆放在一
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D在RCD吸收的时候，对于二极管的选取，其耐压值为什么要按照vcc供电电压去选取，而不是mos管关断瞬间产生的那个高压？
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12V 经mos到充电芯片给电池充电，电池充电温度较高？ 描述: 图示12V 经mos到充电芯片给电池充电 问题: 电池充电温度较高 解决方案: 控制mos管工作在可变电阻区，从而分压，这样充电芯片入口的电压变低，使得充电电流变小 疑问: 可行性如何？
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