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BUCK电路作为DC-DC转换器的核心拓扑，广泛应用于电源管理领域。自举电容作为BUCK电路中驱动高侧mosFET的关键元件，其容量选择直接影响电路性能。本文将简述自举电容容量不足时对BUCK电路的影响。1、自举电容的核心作用自举电容通过充
自举电容是BUCK电路中驱动高侧mosFET的核心元件，其容量不足会导致驱动电压下降、输出电压波动、UVLO保护触发及高频振铃等问题。1、计算最小电容值根据高侧mosFET的栅极电荷（Qg）、开关频率（fSW）及允许的电压降（ΔVBOOT）
01 事故现场：那个让我失眠的夜晚说起来都是泪。那天凌晨两点，实验室突然"砰"的一声闷响，我还以为谁把热水瓶炸了。冲过去一看——好家伙，一块mosFET已经炸得面目全非，引脚歪七扭八，PCB板上的铜皮都烧黑了，空气里弥漫着一股焦糊味。按我的
mosFET作为电力电子领域的核心器件，其寄生电容对开关性能有决定性影响。本文聚焦输入电容、输出电容和反向传输电容的计算方法，为工程师提供实用参考。1、基础电容定义mosFET的三个核心电容由栅极(G)、漏极(D)、源极(S)两两组合定义：
mos管广泛应用于电源管理、信号放大、开关控制等领域。mos管的“使用寿命”指的是其在正常工作条件下能够持续可靠运行的时间长度。这个寿命并非指某个具体的固定时间，而是一个受多种因素影响且具有统计意义的参数。通常，mos管的寿命以“平均无故障
M/A-COM 的 MADR-007097-000100 是一款单刀双掷（SPDT）驱动器，用于在 TTL 逻辑信号与基于 PIN 二极管的微波开关之间进行接口。该器件采用高速模拟 Cmos 技术，在中等速度下实现低功耗。其低输出电阻可产生
LV8907 是一款高性能、无传感器三相无刷直流（BLDC）电机控制器，内置预驱动器，专为汽车应用设计。其集成的两级电荷泵可为超低导通电阻 RDS(ON) 的 N 沟道 mosFET 提供宽范围的栅极驱动电流。该器件提供丰富的系统保护与诊断
NCV8452 是一款全面保护的高边驱动器，可用于开关多种负载，如灯泡、电磁阀及其他执行器。该器件内部具备过载保护功能，通过有源电流限制和热关断机制实现。特性短路保护带自动重启功能的热关断兼容 Cmos（3 V / 5 V）控制输入过压保护
一、换芯片也救不了你的电源上周有个学员找我诉苦，说他做了个项目，开关电源效率死活卡在85%上不去。他试了三四款芯片，换了TI的、换了MPS的、甚至还试了国产方案，结果呢？效率纹丝不动。他都快怀疑人生了，觉得是不是自己运气不好。其实我跟他说，
说起来这个话题我就一肚子火，当年刚接触LLC的时候，那叫一个惨烈——调着调着突然听到"啪"的一声，然后就是一股烧焦的味道扑面而来。第一次炸的时候我还以为是自己运气不好，mos买到了拆机件，结果换了三个品牌、换了五六个规格，该炸还是炸。后来跟
