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ESD保护原理及选型
通常情况ESD保护电路如下当系统没有干扰，正常工作时，ESD器件可以忽略，几乎不起作用当外部接口电压超过ESD器件的击穿电压（VBR）,ESD器件开始起作用，并将电流分流到地。实际ESD器件的工作电压（VRWM）与击穿电压（VBR）的区别，选择ESD器件应该选择系统工作电压小于ESD器件的工作电压（
简介Kintex™ UltraScale+™ 器件在 FinFET 节点中提供高性价比，为需要高端功能（包括 33Gb/s 收发器和 100G 连接内核）的应用提供了经济高效的解决方案。该产品系列同时支持数据包处理和 DSP 密集型功能，是
在日常的电源设计中，半导体开关器件的雪崩能力、VDS电压降额设计是工程师不得不面对的问题，本文旨在分析半导体器件击穿原理、失效机制，以及在设计应用中注意事项。一、半导体器件击穿原理PN结I-V曲线如图[1]所示：PN结正向导通，反向截止；反向电压超过一定限值VBR，器件发生电击穿；正向导通时，电流超
Type-C接口图VBUS 和GND：电源和地线引脚。其中VBUS是供电端(Source)向用电端(Sink)供电的电压线。D 和D-：用于传输USB 2.0差分数据信号，插座中有两对D 、D-引脚是防止插头反插或线缆方向反插的冗余设计，实际只有一对差分数据信号可供使用。TX 、TX-和 RX 、R
介绍一种单节锂电池充放电一体的电路。该电路在外接电源时，使用外接电源供电，并且为锂电池充电；在无外接电源时，系统自动切换为锂电池供电。电路的原理如下图：1）图中VBUS是外部输入的5V电源，VBAT接到锂电池正端，VOUT是整个电路的输出；2）虚线左边的电路是充电电路，充电管理芯片使用常见的TP40
过压保护、防反接、缓启动电源保护电路原理说明：1、过压保护正常输入无过压：稳压二极管D3截止，使得VCC_BAT通过R4/R6到达Q2PNP管的基极，而Q2的射极也是VCC_BAT，因此Q2的VBe=0,Q2截止。因此Q1PMOS的栅极通过R7/R8接地，源极为VCC_BAT，故Q1的Vgs<0，q
负压产生电路分析
来自群友发群里的一个电路，是个简易示波器的电源电路，用于给运算放大器供电，感兴趣的道友也可以开源平台看这个工程。大概就是利用了电容两端电压不能突变的原理，MT3608是一个升压芯片，VBUS是USB处取的5V，然后通过MT3608升压到15V，并且额外通过二极管和电容，产生一个负压，然后过79L12
USB接口因高速差分信号特性，极易成为EMI（电磁干扰）的“重灾区”。所以电子工程师如果想要抑制EMI问题，需要采取措施。1. VBUS电源线加装10μF陶瓷电容靠近USB连接器放置，另一端接机架地（Chassis GND），抑制电源波动辐
在USB电路设计中，电源信号（VBUS）的走线质量直接影响设备充电稳定性与数据传输可靠性。要想电源信号好，良好的走线质量是必不可少，下面就开课讲讲！1、线宽与载流能力强制参数：VBUS走线宽度≥50mils（1.27mm），铜厚≥2OZ。物
MOS管数据手册上的相关参数有很多，以MOS管VBZM7N60为例，下面一起来看一看，MOS管的数据手册一般会包含哪些参数吧。极限参数也叫绝对最大额定参数，MOS管在使用过程当中，任何情况下都不能超过下图的这些极限参数，否则MOS管有可能损坏。VDS表示漏极与源极之间所能施加的最大电压值。VGS表示
